韩国人把SiC功率半导体提到了“堪比存储芯片的核心战略产业”这个级别，英特尔新CEO上任就聊SiC，台积电也开始向部分客户提SiC衬底需求了。全球半导体的主要玩家，都在往碳化硅方向使劲。

英特尔CEO陈立武原话是：“当传统微缩技术开始遭遇瓶颈时，我便着手从材料层面寻找突破方向。”他明确把碳化硅、氮化镓、磷化铟三个方向摆出来，说明英特尔也在认真考虑用新材料延续竞争力。对SiC产业来说，这是多了一个巨头级的潜在变量。

SiC不光是功率器件的事了，开始在先进封装里找到新位置。AI数据中心对高压电源的需求、800V高压平台的渗透、光储市场的起量，都在实实在在地消耗衬底和器件。衬底大厂的产能利用率普遍超过90%，有些光储客户甚至主动加价拿货，交货周期明显拉长。

衬底这边，天岳先进上海临港工厂2024年年中就提前达产了，8英寸导电型衬底已经在批量交付。三安光电跟意法半导体合资的重庆项目也通线了，8英寸衬底专门供车规级MO SFET 。国内头部企业8英寸产能已经在往百万片级别推进。

设备端，晶升股份的8英寸碳化硅长晶设备去年就开始交付，产品也小批量发货了。订单跟着扩产节奏走，基本是客户催着交。

芯片器件这边，芯联集成、士兰微这些IDM产能吃紧是明牌。新洁能、扬杰科技在光储和汽车领域的验证通过之后，订单也在增长。

不过话说回来，行业里“名义产能”和“有效产能”之间差距挺大。低端6英寸过剩，高端8英寸和车规级产品紧俏，这个结构性分化会越来越明显。扩产主要集中在头部企业，整体偏理性，短期不至于出现大规模同质化产能过剩。

碳化硅这趟水，越来越浑了，也越来越热闹了。

风险提示：本文为产业信息整理与科普，不提供证券投资建议。新应用推进不及预期、行业竞争加剧，市场有风险。