0621:周末笔记----周末热点
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周末一些热点:
1、新闻联播用了1分53秒,报道了外资机构继续看好中国市场,距离上次6月3日,新闻联播报道长线外资看好中国,只隔了只有17天,历史少见。这其中释放了什么信号,可以自己慢慢品。
2、股市相关:
周末中东局势一波三折,最终双方还是在谈判桌坐了下来,万斯称过去几小时取得重大进展。
周四晚(周五美股假日休市),美股科技大涨,费城半导体+6.42%,多只芯片股历史新高:

周五日股 光纤龙头藤仓大涨15.69%。
前一晚,藤仓业绩大幅上修46.8%,对于2026年4月1日至2027年3月31日期间预计实现的归母净利润规模,由1560亿日元大幅上修为2290亿日元。藤仓表示,上半年已完成产品涨价落地,同时氢气供应紧张的局面有望在下半年得到缓解。
“物理AI第一股”海清智元暗盘暴涨262%,下周一港股上市。
3、涨价:
华大电子涨价函:7月1日起对MCU产品价格适当调整
木林森6月12日官宣全线PCB产品上调20%后,6月17日再次发函,宣布在原有涨幅基础上再次上调10%
消息称全球第二大晶片电阻厂商厚声自 6 月 21 日起对 0201-1206 全系列贴片电阻全面上调报价,原有报价全部作废,渠道订单需重新议价。国内电阻第一大厂, 端午前通知代理商全面涨涨幅20%~30%,调价幅度高于厚声。
韩媒ETNews称甲骨文韩国分公司全线产品涨价涨幅10%左右
4、一些数据:
MPO及光模块5月海关出口追踪:

假期还发酵了上周TrendForce的测算:AMD最新的MI450,MLCC用量从每板1440颗暴增至10544颗,增幅高达632%

继亿纬锂能后,第二份锂电预增出炉
富祥股份:今年上半年公司盈利1.65亿元至2.145亿元,去年同期亏损691.12万。扣非净利润1.61亿元至2.105亿元,去年同期亏损3217.98万元。
对应Q2净利1.04 亿~1.53 亿元,环比增69.63%~150.52%,同比扭亏。扣非1.007 亿~1.502 亿,环比+67.19%~+149.34%,同比扭亏。
业绩超预期。主要因为VC、FEC产品销售量价齐增,新能源业务已成为公司业绩增长的核心引擎。
所以今晚吹锂电添加剂VC的又多了起来。
其他
1、国家能源局:2026年5月份全社会用电量同比增长6.9%
2、广东:加快建设全国一体化算力网络粤港澳大湾区枢纽 前瞻布局6G技术与卫星互联网
3、我国在商用光纤端部构建一种三维光纤微镊 微镊输出力是传统光镊的十万倍以上
4、存储芯片公司英韧科技完成IPO辅导
5、航天:
蓝箭航天公号推文“只需相信,接二连三,都会如期而至”,市场解读或与朱雀三号火箭回收有关
垣信卫星成功打通国内首例无改造存量商用手机直连卫星通话
7、特斯拉加速推进人工智能与机器人战略 申请注册“Amazing Abundance”商标
8、供应链公司:已向苹果首款折叠屏iPhone小批量供货
投资圈热议:这个周末在投资圈里热议程度最高的,还是陈立武这篇访谈。明天开盘大概率是会发酵的。
2026年6月18日,英特尔CEO陈立武在播客访谈中提出,我正将投注重心转向先进封装技术EMIB、玻璃基板、以及氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、磷化铟(InP)和人工合成钻石等新材料领域,以应对传统工艺节点微缩趋近物理极限的挑战。
英特尔过去14个月已为股东创造了约6倍回报,早年执掌Cadence期间为股东创造76-85倍的超高回报,本次访谈定下5-10年英特尔实现10倍市值回报。
英特尔CEO陈立武重点提出的几个核心赛道
赛道一:EMIB先进封装
智能体AI和推理场景爆发,服务器CPU与GPU配比从1比8收敛至1比4,单台服务器多芯粒集成需求大幅提升,英特尔EMIB开放承接全球CPU、GPU、光模块芯粒订单,已有大客户预付数十亿美元锁定基板封装产能。
国内先进封装赛道核心厂商主要有:盛合晶微、甬矽电子、长电科技、通富微电、晶方科技、华天科技等。
相较于传统封装,先进封装能够实现更高密度的芯片互联、更高效的带宽传输、更低的信号延迟,同时也可通过异构集成方案平衡性能与成本,能够适配AI算力芯片、各类高性能存储芯片的规模化应用要求。
从下游需求来看,无论是支撑AI算力核心的GPU、高性能CPU芯片,还是承担高速数据的HBM高带宽存储芯片,以及主流应用场景中广泛使用的DDR4/DDR5内存、3D堆叠NAND Flash存储芯片,均对封装环节的互联密度、传输带宽、散热能力、集成度提出了更高要求。
目前先进封装行业内主流技术路线主要有以下几种:
2.5D封装:行业主流高端方案,以台积电CoWoS为代表,通过硅中介层实现多芯片横向集成,带宽表现优异,量产成熟度较高,为高端AI芯片的主流应用方案。
3D堆叠封装:高集成度方案,以台积电SoIC、三星X-Cube为代表,通过垂直堆叠与键合技术提升芯片集成密度,主要应用于HBM、3D NAND等高端存储与高算力芯片领域。
Chiplet芯粒异构集成:高性价比方案,以长电XDFOI™、英特尔EMIB为代表,通过多芯粒模块化整合实现性能拓展,适配AI芯片、通用计算芯片的规模化量产需求。
HBM合封+存储配套封装:AI服务器主流配套方案,同步覆盖DDR5、3D堆叠存储芯片封装需求,助力算力芯片与存储芯片实现一体化高效集成。
一、市场规模:AI算力需求带动,高端封装赛道保持较高增长水平
本文采用某权威机构预测的先进封装市场规模,核心规模数据如下:
2025年:全球高端AI先进封装市场规模约480亿美元。
2030年:全球高端AI先进封装市场规模预计突破1020亿美元
2025-2030年复合增长率约24%.
行业增长核心驱动因素主要来自于:一方面,AI服务器单机搭载的GPU数量、HBM堆叠层数持续提升,带动封装需求总量同步增长。另一方面,高端AI芯片、新一代存储芯片的单颗封装价值量显著高于传统封装价值量。
再加上英伟达、AMD、谷歌、微软、亚马逊、华为、阿里等全球科技企业持续加大AI算力领域资本开支,高端先进封装行业需求保持旺盛。
二、全球核心封测厂商:台积电领衔,国产厂商加速追赶
1. 台积电
主攻技术路线:2.5D CoWoS、3D SoIC堆叠,覆盖高端AI GPU+HBM全流程集成封装,CoWoS产能在全球高端AI封装领域占据较高市场份额。
客户资源:英伟达、AMD、苹果、谷歌、微软、亚马逊、博通、高通、SK海力士、美光、寒武纪、海光等,基本覆盖全球主流AI算力芯片头部客户。
最新扩产动态:2025–2027年先进封装累计资本开支金额约190–380亿美元。 CoWoS产能2025年底月产能约5万片,2026年底达11.5万–14万片,2027年底提升至17万片,较2025年底产能扩产约240%。
2. 长电科技
主攻技术路线:2.5D/3D封装、Chiplet(XDFOI™)、HBM-GPU异构合封,国内少数实现HBM全流程封装量产的企业。自研XDFOI™技术可支持4nm工艺芯片异构集成,高精度技术达到行业先进水平。
客户资源:英伟达、AMD、海光、鲲鹏、SK海力士、美光、谷歌、英特尔,为国内外高端AI芯片提供封测配套支持。
最新扩产动态:2025年资本开支85亿元,重点扩建东莞HBM封装基地、上海临港高端算力封装产线,新增HBM相关产能约30万片/年 。2026年持续加码先进封装,江阴、韩国、新加坡产线同步扩产,高端AI封装产能同比增长约40% 。
3. 通富微电
主攻技术路线:FC-BGA、2.5D类CoWoS有机基板方案、Chiplet异构集成,聚焦中端AI算力芯片高性价比封装方案。实现85×85mm大尺寸FC-BGA规模化量产,110×110mm规格完成验证,类CoWoS封装方案具备一定的成本优势。
客户资源:AMD、英伟达、海光、瑞芯微,与AMD保持长期稳定的封测合作关系。
最新扩产动态:2026年资本开支91亿元,其中42.2亿元定增投向存储、汽车电子、高性能计算封测。存储芯片封测项目新增84.96万片/年产能,槟城工厂聚焦AI算力封测,2026年新增高端FC-BGA产能约20万片/年 。
4. 华天科技
主攻技术路线:2.5D/3D封装、Fan-Out、FOPLP扇出面板级、FC-BGA,同步布局AI算力、汽车电子、存储芯片封装领域。2.5D硅中介层线宽线距达到2μm/2μm,实现6层以上多层互联工艺量产水平,玻璃基板封装技术具备行业前瞻性。
客户资源:英伟达、AMD、海光、寒武纪、紫光展锐、三星、SK海力士。
最新扩产动态:2025年设立先进封测子公司,南京二期投产、马来西亚基地扩建,总投资35亿元,新增2.5D/FC-BGA产能约15万片/年 。2026年:持续扩产AI与存储封装产线,高端封装产能同比增长约35%。
5. 盛合晶微
主攻技术路线:12英寸Bumping、2.5D硅中介层、TSV、Chiplet芯粒集成,专注高端封装中段加工环节。12英寸Bumping、2.5D封装在国内市场占据较高份额,国内较早实现14nm Bumping工艺规模化量产企业。
客户资源:高通、英伟达、海光、鲲鹏、寒武纪,同时为国内头部封测企业提供中段代工服务。
最新扩产动态:IPO募资约50.28亿元,其中48亿元用于三维多芯片集成封装、超高密度互联项目 。2025–2026年新增12英寸Bumping产能约20万片/年、2.5D硅中介层产能约10万片/年,匹配国产AI芯片中段封装需求 。
6. 甬矽电子
主攻技术路线:FC-BGA、Bumping、WLP晶圆级封装、2.5D工艺研发,聚焦AI服务器GPU/CPU高端封装场景。FC-BGA高精度倒装、RDL重布线工艺适配大尺寸、高I/O密度的高端AI芯片封装需求。
客户资源:英伟达、AMD、海光、瑞芯微、紫光展锐、寒武纪。
最新扩产动态:总投资110亿元,2025–2026年分批投产,新增FC-BGA产能约25万片/年,聚焦AI服务器高端封装,2026年先进封装业务实现高速增长。
7. 晶方科技
主攻技术路线:WLP晶圆级封装、TSV硅通孔、Fan-Out、2.5D工艺研发,聚焦AI传感器、HBM及存储芯片配套封装。8/12英寸晶圆级TSV工艺实现规模化量产,车规级TSV工艺在细分领域具备一定技术优势。
客户资源:三星、SK海力士、美光、英伟达、索尼,为头部封测企业提供HBM配套封装服务。
最新扩产动态:2025年投资12亿元扩建WLP/TSV产线,新增存储配套封装产能约18万片/年 。2026年推进2.5D中试线建设,切入HBM配套封装供应链,补充国内高端存储封装产能供应。
三、产业链总结
从行业发展趋势来看,2.5D向3D堆叠升级、Chiplet异构集成普及、HBM合封规模化应用,是未来先进封装的核心演进方向。伴随AI算力需求持续释放、新一代存储芯片渗透率提升,行业整体保持较高景气度,国内封装企业依托产能扩张与技术突破,国产化
赛道二:TGV玻璃基板
陈立武:我们投资玻璃基板公司3DGS,玻璃拥有极佳的散热、绝缘性能,是下一代先进封装核心载体。我们在美国新墨西哥州打造全球首条玻璃芯基板量产线,推出24层玻璃芯基板搭配EMIB工程样品,解决高密度布线、高功耗芯片散热痛点。
核心厂商:沃格、京东方、戈碧伽、美迪凯、帝尔激光、英诺激光、凯盛科技等。
玻璃基板核心壁垒集中于TGV玻璃通孔技术,超快激光打孔、刻蚀、PVD镀膜、黄光光刻为核心配套设备。
国内单条510×515mm玻璃基板产线投资13‑15亿元,满产年产能可以达到8‑10万平方米,机构测算2030年全球玻璃基板市场规模有望超300亿美元,国产替代的成长空间较大。
一、玻璃基板核心设备环节
1. 激光钻孔设备
帝尔激光:作为TGV激光设备的行业领跑者,国内布局玻璃基板TGV超快激光打孔的核心企业,可实现超薄玻璃微米级通孔无崩边加工,适配3D堆叠大尺寸玻璃基板加工需求。
大族激光:布局超快激光TGV打孔、盲孔腐蚀专用设备,适配大尺寸超薄玻璃基板精密加工,加速推进国内玻璃基板厂商开展样品验证。
英诺激光:专注于半导体超快激光微加工领域,针对玻璃基板TGV微孔、盲孔开发定制化加工系统,适配玻璃基板通孔成型的精密制程需求。
海目星:公司在TGV玻璃通孔技术上具备激光+蚀刻全链条自研一体化的核心优势,是全球为数不多的可实现激光器自研、激光专用设备、激光加工工艺、化学蚀刻工艺及配套设备的综合服务商。
2. 刻蚀、PVD镀膜、光刻设备
中微公司:聚焦刻蚀设备研发,适配玻璃基板TGV通孔刻蚀、通孔精细化修整工艺,可满足玻璃基材精密刻蚀要求,为3D堆叠玻璃基板通孔制程提供设备支撑。
北方华创:国内PVD镀膜设备主力企业,开发玻璃基板专用磁控溅射设备,解决TGV通孔内壁均匀金属化难题,适配玻璃基板镀膜核心工艺环节。
上海微电子:攻坚高端步进扫描光刻机,适配玻璃基材高精度曝光工艺,助力大尺寸基板精细线路成型,适配3D堆叠高密度互连加工需求。
二、玻璃基板材料及生产厂商
沃格光电:国内玻璃基板的全制程工艺领军企业,掌握玻璃基板生产的核心技术,已建成国内首条全流程自主可控TGV量产线,具备玻璃基板批量交付能力。目前玻璃基板处于客户送样验证阶段。
凯盛科技:国内超薄电子玻璃重点企业,布局半导体级玻璃基板专用基材,把控热膨胀系数、基材纯度等关键指标,适配TGV工艺要求,推进国产基材验证落地。
彩虹股份:依托面板玻璃技术积淀,布局超薄半导体级玻璃基板基材研发,优化平整度、热稳定性等核心性能,推进TGV用玻璃基板量产相关研发工作。
长信科技:深耕超薄玻璃减薄、精密成型加工,开发玻璃基板配套加工工艺,适配国内玻璃基板产线加工环节,助力玻璃基板国产化进程。
三、赛道成长空间总结
玻璃基板成为英伟达、谷歌、微软等全球AI巨头芯片先进封装的升级方向,匹配3D堆叠先进封装的升级节奏,2026‑2027年设备端有望优先受益,随着2028年后商业化进程的逐步推进,2030年全球市场规模有望突破300亿美元。
赛道三:第三代半导体新材料(SiC/GaN/InP)
1、碳化硅SiC
核心厂商主要有:晶升股份、晶盛机电、天岳先进、露笑科技、三安光电、正帆科技等
前英伟达、台积电等企业也在对碳化硅散热方案开展测试验证,该路线与金刚石散热形成差异化定位,碳化硅凭借性价比优势,有望在中高端AI加速卡领域率先实现规模化应用。
国内在碳化硅领域有业务布局的厂商主要有:
1. 天岳先进:导电型碳化硅衬底国内头部企业,公司是全球少数实现8英寸碳化硅衬底量产的厂商,也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。8英寸碳化硅产品供货英飞凌、富士康,12英寸产品处于客户验证阶段。
2. 露笑科技:公司8英寸碳化硅衬底片已研发成功,预计一二季度逐步出货,目前公司已制备出合格的12英寸碳化硅单晶样品。产品主要面向国内AI电源、算力配套厂商。
3. 三安光电:公司实现碳化硅衬底‑外延‑芯片‑模块一体化生产,8英寸碳化硅配套产能12000片/月,公司的12英寸碳化硅衬底已向客户送样验证。
4. 晶盛机电:碳化硅长晶炉设备核心厂商,可适配6/8英寸碳化硅衬底生产,合作客户覆盖天岳先进、露笑科技等头部衬底厂商,行业扩产将持续带动设备订单增长。
5. 晶升股份:公司是碳化硅晶体生产设备国内主要厂商之一,8英寸设备正在批量交付过程中,目前公司正就12英寸碳化硅设备与客户开展合作研发。
6. 斯达半导:国内碳化硅功率模块主力厂商,高压碳化硅模块已通过台达等头部电源厂商认证,间接进入英伟达800V AIDC供应链。
7. 华润微:IDM模式功率半导体企业,600V‑1700V 碳化硅 MO SFET 已实现量产,去年公司碳化硅产能就达到2500片/月,公司正在积极扩产中,产品主要面向数据中心电源场景。
2、 氮化镓GaN
核心厂商主要有:三安光电、南大光电、乾照光电等。
3、磷化铟InP
核心厂商主要有:云南锗业、先导基电、有研新材、海特高新、海川智能等
一、磷化铟应用场景
磷化铟凭借高频、高效光电转换、抗辐射等核心特性,在高端光电领域具有一定的优势,产业链应用主要集中在四大核心场景:
1、数据中心高速光模块领域:磷化铟是制备800G、1.6T、3.2T高速光模块中EML激光器、APD探测光芯片的关键材料,用来支撑AI数据中心超高速、长距离数据传输,且光模块速率每升级一代,单模块磷化铟用量就会带来成倍增长。
2、CPO共封装光学领域:CPO作为AI服务器互联的下一代技术方案,高度集成化设计使得单机磷化铟用量大幅提升,是行业未来的核心增量。
3、6G与卫星通信领域:磷化铟具有高频低噪、抗辐射的特质,是6G射频器件、星间激光通信芯片的核心材料,有助力卫星互联网产业的高速发展。
4、自动驾驶领域,磷化铟用于高端长距激光雷达发射芯片,保障雷达探测精度与工作稳定性,支撑高阶自动驾驶技术的快速落地。
二、全球行业景气度
从行业整体景气度来看,全球磷化铟市场供需严重失衡,行业高景气度持续愈发明显。
全球光通信龙头Lumentum在OFC大会上表示,2026-2030年AI数据中心磷化铟需求年复合增长率高达85%,相关企业产能订单饱满,交付周期持续拉长。
当下全球磷化铟衬底供需缺口超70%,高端衬底更是明显紧缺,导致价格也迎来了大幅上涨。
2英寸高端磷化铟衬底价格从2025年初的800美元/片,飙升至2026年的2300-2500美元/片,涨幅接近190%。6英寸高端磷化铟衬底单价更是突破了5000美元。
如今磷化铟衬底交付周期从原本的8周延长至24-40周,海外头部厂商订单普遍排至2027至2028年。
三、国内磷化铟产业链
国内磷化铟产业链也在加速扩产补充产能,在中游磷化铟衬底环节,云南锗业是国内磷化铟衬底的主力厂商,旗下子公司鑫耀半导体现有产能15万片/年,2026年4月公司公告拟投资1.89亿元扩建产能,达产后总产能将提升至45万片/年,预计2027年底可以达产,鑫耀半导体由华为哈勃战略参股,当前订单量充足。
珠海鼎泰芯源是国内第二大磷化铟衬底厂商,上市公司博杰股份对其进行战略参股,目前正加速进行产能扩充,目标扩产至20万片/年。
上游磷化铟多晶料环节,除了新入局的河南铭镓半导体,陕西铟杰半导体是国内较早实现磷化铟多晶料规模化量产的企业,深耕行业多年,攻克了多项核心技术,现有年产20吨磷化铟多晶料产能,是国内磷化铟上游原料领域的先行者,也为行业早期国产化发展打下了基础。
赛道四:人工合成CVD钻石
看好钻石作为隔热材料在芯片封装中的应用潜力。
核心厂商主要有:惠丰钻石、力量钻石、黄河旋风、国机精工、中兵红箭等
目前金刚石行业商业化还存在两大瓶颈:
1. 产能瓶颈:单晶金刚石生长速率存在物理上限,制约了单台设备的产出数量,四方达投入4.5亿元扩产,年产能由2.5万平扩至15万平。黄河旋风计划3年内增加300台MPCVD设备,目标年产15万片金刚石基材。
2. 成本瓶颈:按照4‑6英寸金刚石片2‑3万元/片测算,单片散热成本较纯铜方案高出10倍以上,降低成本是行业下一阶段的核心任务。
随着产能持续释放、成本逐步下探,金刚石散热应用场景将全面拓宽:除核心GPU芯片外,3.2T高速光模块有望搭载小型金刚石片,初期单价在大几元量级。AI PC、AI笔记本也将逐步导入金刚石散热薄膜,仅算力GPU领域,金刚石散热市场空间至少可达500‑800亿元,长期成长空间可达千亿级别。
在金刚石散热领域具有相关业务布局的厂商主要有:
1. 黄河旋风:公司已经成功研制出可量产的最大8英寸热沉片,公司的多晶金刚石热沉片已通过华为验证,并配合华为碳化硅散热方案进入6-8英寸晶圆级量产阶段。公司研发的金刚石-碳化硅复合材料项目取得重大阶段性成果,解决高算力芯片散热及热膨胀技术难题。
2. 力量钻石:公司的金刚石散热片已量产,主要应用在AI算力芯片、半导体散热及新能源等领域。近期公司也在和多家国内半导体企业、科技企业积极对接,陆续推进送样测试。
3. 四方达:公司生产的CVD金刚石散热片可以用于GPU散热,目前,已通过海外客户测试,并进入小批量供货阶段,同时,公司正加快推进年产2.5万片CVD金刚石散热基地建设。
4. 中兵红箭:公司高度关注散热领域的应用研究和市场拓展,目前金刚石散热片已实现小批量生产。
5. 惠丰钻石:公司为金刚石微粉头部公司,主要产品包括金刚石微粉、金刚石破碎整形料及CVD培育钻石。公司客户主要为第三代半导体行业知名企业。
6. 沃尔德:公司在CVD金刚石的制备及应用方面具有超过15年的技术储备。目前各产品线处于小规模市场推广阶段。公司研发的高品质CVD金刚石热沉,能够解决大功率激光器在高功率密度下的散热难题,目前产品已通过客户认证。
7. 国机精工:公司金刚石散热片和金刚石光学窗口片已有小批量订单,公司金刚石散热产品矩阵覆盖金刚石单晶、金刚石多晶和金刚石同复合材料。目前,民用领域的产品已送样客户,有望年内获得小批量订单。
1、新闻联播用了1分53秒,报道了外资机构继续看好中国市场,距离上次6月3日,新闻联播报道长线外资看好中国,只隔了只有17天,历史少见。这其中释放了什么信号,可以自己慢慢品。

周末中东局势一波三折,最终双方还是在谈判桌坐了下来,万斯称过去几小时取得重大进展。
周四晚(周五美股假日休市),美股科技大涨,费城半导体+6.42%,多只芯片股历史新高:

周五日股 光纤龙头藤仓大涨15.69%。
前一晚,藤仓业绩大幅上修46.8%,对于2026年4月1日至2027年3月31日期间预计实现的归母净利润规模,由1560亿日元大幅上修为2290亿日元。藤仓表示,上半年已完成产品涨价落地,同时氢气供应紧张的局面有望在下半年得到缓解。
“物理AI第一股”海清智元暗盘暴涨262%,下周一港股上市。
3、涨价:
华大电子涨价函:7月1日起对MCU产品价格适当调整
木林森6月12日官宣全线PCB产品上调20%后,6月17日再次发函,宣布在原有涨幅基础上再次上调10%
消息称全球第二大晶片电阻厂商厚声自 6 月 21 日起对 0201-1206 全系列贴片电阻全面上调报价,原有报价全部作废,渠道订单需重新议价。国内电阻第一大厂, 端午前通知代理商全面涨涨幅20%~30%,调价幅度高于厚声。
韩媒ETNews称甲骨文韩国分公司全线产品涨价涨幅10%左右
4、一些数据:
MPO及光模块5月海关出口追踪:

假期还发酵了上周TrendForce的测算:AMD最新的MI450,MLCC用量从每板1440颗暴增至10544颗,增幅高达632%

继亿纬锂能后,第二份锂电预增出炉
富祥股份:今年上半年公司盈利1.65亿元至2.145亿元,去年同期亏损691.12万。扣非净利润1.61亿元至2.105亿元,去年同期亏损3217.98万元。
对应Q2净利1.04 亿~1.53 亿元,环比增69.63%~150.52%,同比扭亏。扣非1.007 亿~1.502 亿,环比+67.19%~+149.34%,同比扭亏。
业绩超预期。主要因为VC、FEC产品销售量价齐增,新能源业务已成为公司业绩增长的核心引擎。
所以今晚吹锂电添加剂VC的又多了起来。
其他
1、国家能源局:2026年5月份全社会用电量同比增长6.9%
2、广东:加快建设全国一体化算力网络粤港澳大湾区枢纽 前瞻布局6G技术与卫星互联网
3、我国在商用光纤端部构建一种三维光纤微镊 微镊输出力是传统光镊的十万倍以上
4、存储芯片公司英韧科技完成IPO辅导
5、航天:
蓝箭航天公号推文“只需相信,接二连三,都会如期而至”,市场解读或与朱雀三号火箭回收有关
垣信卫星成功打通国内首例无改造存量商用手机直连卫星通话
7、特斯拉加速推进人工智能与机器人战略 申请注册“Amazing Abundance”商标
8、供应链公司:已向苹果首款折叠屏iPhone小批量供货
投资圈热议:这个周末在投资圈里热议程度最高的,还是陈立武这篇访谈。明天开盘大概率是会发酵的。

2026年6月18日,英特尔CEO陈立武在播客访谈中提出,我正将投注重心转向先进封装技术EMIB、玻璃基板、以及氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、磷化铟(InP)和人工合成钻石等新材料领域,以应对传统工艺节点微缩趋近物理极限的挑战。
英特尔过去14个月已为股东创造了约6倍回报,早年执掌Cadence期间为股东创造76-85倍的超高回报,本次访谈定下5-10年英特尔实现10倍市值回报。
英特尔CEO陈立武重点提出的几个核心赛道
赛道一:EMIB先进封装
智能体AI和推理场景爆发,服务器CPU与GPU配比从1比8收敛至1比4,单台服务器多芯粒集成需求大幅提升,英特尔EMIB开放承接全球CPU、GPU、光模块芯粒订单,已有大客户预付数十亿美元锁定基板封装产能。
国内先进封装赛道核心厂商主要有:盛合晶微、甬矽电子、长电科技、通富微电、晶方科技、华天科技等。
相较于传统封装,先进封装能够实现更高密度的芯片互联、更高效的带宽传输、更低的信号延迟,同时也可通过异构集成方案平衡性能与成本,能够适配AI算力芯片、各类高性能存储芯片的规模化应用要求。
从下游需求来看,无论是支撑AI算力核心的GPU、高性能CPU芯片,还是承担高速数据的HBM高带宽存储芯片,以及主流应用场景中广泛使用的DDR4/DDR5内存、3D堆叠NAND Flash存储芯片,均对封装环节的互联密度、传输带宽、散热能力、集成度提出了更高要求。
目前先进封装行业内主流技术路线主要有以下几种:
2.5D封装:行业主流高端方案,以台积电CoWoS为代表,通过硅中介层实现多芯片横向集成,带宽表现优异,量产成熟度较高,为高端AI芯片的主流应用方案。
3D堆叠封装:高集成度方案,以台积电SoIC、三星X-Cube为代表,通过垂直堆叠与键合技术提升芯片集成密度,主要应用于HBM、3D NAND等高端存储与高算力芯片领域。
Chiplet芯粒异构集成:高性价比方案,以长电XDFOI™、英特尔EMIB为代表,通过多芯粒模块化整合实现性能拓展,适配AI芯片、通用计算芯片的规模化量产需求。
HBM合封+存储配套封装:AI服务器主流配套方案,同步覆盖DDR5、3D堆叠存储芯片封装需求,助力算力芯片与存储芯片实现一体化高效集成。
一、市场规模:AI算力需求带动,高端封装赛道保持较高增长水平
本文采用某权威机构预测的先进封装市场规模,核心规模数据如下:
2025年:全球高端AI先进封装市场规模约480亿美元。
2030年:全球高端AI先进封装市场规模预计突破1020亿美元
2025-2030年复合增长率约24%.
行业增长核心驱动因素主要来自于:一方面,AI服务器单机搭载的GPU数量、HBM堆叠层数持续提升,带动封装需求总量同步增长。另一方面,高端AI芯片、新一代存储芯片的单颗封装价值量显著高于传统封装价值量。
再加上英伟达、AMD、谷歌、微软、亚马逊、华为、阿里等全球科技企业持续加大AI算力领域资本开支,高端先进封装行业需求保持旺盛。
二、全球核心封测厂商:台积电领衔,国产厂商加速追赶
1. 台积电
主攻技术路线:2.5D CoWoS、3D SoIC堆叠,覆盖高端AI GPU+HBM全流程集成封装,CoWoS产能在全球高端AI封装领域占据较高市场份额。
客户资源:英伟达、AMD、苹果、谷歌、微软、亚马逊、博通、高通、SK海力士、美光、寒武纪、海光等,基本覆盖全球主流AI算力芯片头部客户。
最新扩产动态:2025–2027年先进封装累计资本开支金额约190–380亿美元。 CoWoS产能2025年底月产能约5万片,2026年底达11.5万–14万片,2027年底提升至17万片,较2025年底产能扩产约240%。
2. 长电科技
主攻技术路线:2.5D/3D封装、Chiplet(XDFOI™)、HBM-GPU异构合封,国内少数实现HBM全流程封装量产的企业。自研XDFOI™技术可支持4nm工艺芯片异构集成,高精度技术达到行业先进水平。
客户资源:英伟达、AMD、海光、鲲鹏、SK海力士、美光、谷歌、英特尔,为国内外高端AI芯片提供封测配套支持。
最新扩产动态:2025年资本开支85亿元,重点扩建东莞HBM封装基地、上海临港高端算力封装产线,新增HBM相关产能约30万片/年 。2026年持续加码先进封装,江阴、韩国、新加坡产线同步扩产,高端AI封装产能同比增长约40% 。
3. 通富微电
主攻技术路线:FC-BGA、2.5D类CoWoS有机基板方案、Chiplet异构集成,聚焦中端AI算力芯片高性价比封装方案。实现85×85mm大尺寸FC-BGA规模化量产,110×110mm规格完成验证,类CoWoS封装方案具备一定的成本优势。
客户资源:AMD、英伟达、海光、瑞芯微,与AMD保持长期稳定的封测合作关系。
最新扩产动态:2026年资本开支91亿元,其中42.2亿元定增投向存储、汽车电子、高性能计算封测。存储芯片封测项目新增84.96万片/年产能,槟城工厂聚焦AI算力封测,2026年新增高端FC-BGA产能约20万片/年 。
4. 华天科技
主攻技术路线:2.5D/3D封装、Fan-Out、FOPLP扇出面板级、FC-BGA,同步布局AI算力、汽车电子、存储芯片封装领域。2.5D硅中介层线宽线距达到2μm/2μm,实现6层以上多层互联工艺量产水平,玻璃基板封装技术具备行业前瞻性。
客户资源:英伟达、AMD、海光、寒武纪、紫光展锐、三星、SK海力士。
最新扩产动态:2025年设立先进封测子公司,南京二期投产、马来西亚基地扩建,总投资35亿元,新增2.5D/FC-BGA产能约15万片/年 。2026年:持续扩产AI与存储封装产线,高端封装产能同比增长约35%。
5. 盛合晶微
主攻技术路线:12英寸Bumping、2.5D硅中介层、TSV、Chiplet芯粒集成,专注高端封装中段加工环节。12英寸Bumping、2.5D封装在国内市场占据较高份额,国内较早实现14nm Bumping工艺规模化量产企业。
客户资源:高通、英伟达、海光、鲲鹏、寒武纪,同时为国内头部封测企业提供中段代工服务。
最新扩产动态:IPO募资约50.28亿元,其中48亿元用于三维多芯片集成封装、超高密度互联项目 。2025–2026年新增12英寸Bumping产能约20万片/年、2.5D硅中介层产能约10万片/年,匹配国产AI芯片中段封装需求 。
6. 甬矽电子
主攻技术路线:FC-BGA、Bumping、WLP晶圆级封装、2.5D工艺研发,聚焦AI服务器GPU/CPU高端封装场景。FC-BGA高精度倒装、RDL重布线工艺适配大尺寸、高I/O密度的高端AI芯片封装需求。
客户资源:英伟达、AMD、海光、瑞芯微、紫光展锐、寒武纪。
最新扩产动态:总投资110亿元,2025–2026年分批投产,新增FC-BGA产能约25万片/年,聚焦AI服务器高端封装,2026年先进封装业务实现高速增长。
7. 晶方科技
主攻技术路线:WLP晶圆级封装、TSV硅通孔、Fan-Out、2.5D工艺研发,聚焦AI传感器、HBM及存储芯片配套封装。8/12英寸晶圆级TSV工艺实现规模化量产,车规级TSV工艺在细分领域具备一定技术优势。
客户资源:三星、SK海力士、美光、英伟达、索尼,为头部封测企业提供HBM配套封装服务。
最新扩产动态:2025年投资12亿元扩建WLP/TSV产线,新增存储配套封装产能约18万片/年 。2026年推进2.5D中试线建设,切入HBM配套封装供应链,补充国内高端存储封装产能供应。
三、产业链总结
从行业发展趋势来看,2.5D向3D堆叠升级、Chiplet异构集成普及、HBM合封规模化应用,是未来先进封装的核心演进方向。伴随AI算力需求持续释放、新一代存储芯片渗透率提升,行业整体保持较高景气度,国内封装企业依托产能扩张与技术突破,国产化
赛道二:TGV玻璃基板
陈立武:我们投资玻璃基板公司3DGS,玻璃拥有极佳的散热、绝缘性能,是下一代先进封装核心载体。我们在美国新墨西哥州打造全球首条玻璃芯基板量产线,推出24层玻璃芯基板搭配EMIB工程样品,解决高密度布线、高功耗芯片散热痛点。
核心厂商:沃格、京东方、戈碧伽、美迪凯、帝尔激光、英诺激光、凯盛科技等。
玻璃基板核心壁垒集中于TGV玻璃通孔技术,超快激光打孔、刻蚀、PVD镀膜、黄光光刻为核心配套设备。
国内单条510×515mm玻璃基板产线投资13‑15亿元,满产年产能可以达到8‑10万平方米,机构测算2030年全球玻璃基板市场规模有望超300亿美元,国产替代的成长空间较大。
一、玻璃基板核心设备环节
1. 激光钻孔设备
帝尔激光:作为TGV激光设备的行业领跑者,国内布局玻璃基板TGV超快激光打孔的核心企业,可实现超薄玻璃微米级通孔无崩边加工,适配3D堆叠大尺寸玻璃基板加工需求。
大族激光:布局超快激光TGV打孔、盲孔腐蚀专用设备,适配大尺寸超薄玻璃基板精密加工,加速推进国内玻璃基板厂商开展样品验证。
英诺激光:专注于半导体超快激光微加工领域,针对玻璃基板TGV微孔、盲孔开发定制化加工系统,适配玻璃基板通孔成型的精密制程需求。
海目星:公司在TGV玻璃通孔技术上具备激光+蚀刻全链条自研一体化的核心优势,是全球为数不多的可实现激光器自研、激光专用设备、激光加工工艺、化学蚀刻工艺及配套设备的综合服务商。
2. 刻蚀、PVD镀膜、光刻设备
中微公司:聚焦刻蚀设备研发,适配玻璃基板TGV通孔刻蚀、通孔精细化修整工艺,可满足玻璃基材精密刻蚀要求,为3D堆叠玻璃基板通孔制程提供设备支撑。
北方华创:国内PVD镀膜设备主力企业,开发玻璃基板专用磁控溅射设备,解决TGV通孔内壁均匀金属化难题,适配玻璃基板镀膜核心工艺环节。
上海微电子:攻坚高端步进扫描光刻机,适配玻璃基材高精度曝光工艺,助力大尺寸基板精细线路成型,适配3D堆叠高密度互连加工需求。
二、玻璃基板材料及生产厂商
沃格光电:国内玻璃基板的全制程工艺领军企业,掌握玻璃基板生产的核心技术,已建成国内首条全流程自主可控TGV量产线,具备玻璃基板批量交付能力。目前玻璃基板处于客户送样验证阶段。
凯盛科技:国内超薄电子玻璃重点企业,布局半导体级玻璃基板专用基材,把控热膨胀系数、基材纯度等关键指标,适配TGV工艺要求,推进国产基材验证落地。
彩虹股份:依托面板玻璃技术积淀,布局超薄半导体级玻璃基板基材研发,优化平整度、热稳定性等核心性能,推进TGV用玻璃基板量产相关研发工作。
长信科技:深耕超薄玻璃减薄、精密成型加工,开发玻璃基板配套加工工艺,适配国内玻璃基板产线加工环节,助力玻璃基板国产化进程。
三、赛道成长空间总结
玻璃基板成为英伟达、谷歌、微软等全球AI巨头芯片先进封装的升级方向,匹配3D堆叠先进封装的升级节奏,2026‑2027年设备端有望优先受益,随着2028年后商业化进程的逐步推进,2030年全球市场规模有望突破300亿美元。
赛道三:第三代半导体新材料(SiC/GaN/InP)
1、碳化硅SiC
核心厂商主要有:晶升股份、晶盛机电、天岳先进、露笑科技、三安光电、正帆科技等
前英伟达、台积电等企业也在对碳化硅散热方案开展测试验证,该路线与金刚石散热形成差异化定位,碳化硅凭借性价比优势,有望在中高端AI加速卡领域率先实现规模化应用。
国内在碳化硅领域有业务布局的厂商主要有:
1. 天岳先进:导电型碳化硅衬底国内头部企业,公司是全球少数实现8英寸碳化硅衬底量产的厂商,也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。8英寸碳化硅产品供货英飞凌、富士康,12英寸产品处于客户验证阶段。
2. 露笑科技:公司8英寸碳化硅衬底片已研发成功,预计一二季度逐步出货,目前公司已制备出合格的12英寸碳化硅单晶样品。产品主要面向国内AI电源、算力配套厂商。
3. 三安光电:公司实现碳化硅衬底‑外延‑芯片‑模块一体化生产,8英寸碳化硅配套产能12000片/月,公司的12英寸碳化硅衬底已向客户送样验证。
4. 晶盛机电:碳化硅长晶炉设备核心厂商,可适配6/8英寸碳化硅衬底生产,合作客户覆盖天岳先进、露笑科技等头部衬底厂商,行业扩产将持续带动设备订单增长。
5. 晶升股份:公司是碳化硅晶体生产设备国内主要厂商之一,8英寸设备正在批量交付过程中,目前公司正就12英寸碳化硅设备与客户开展合作研发。
6. 斯达半导:国内碳化硅功率模块主力厂商,高压碳化硅模块已通过台达等头部电源厂商认证,间接进入英伟达800V AIDC供应链。
7. 华润微:IDM模式功率半导体企业,600V‑1700V 碳化硅 MO SFET 已实现量产,去年公司碳化硅产能就达到2500片/月,公司正在积极扩产中,产品主要面向数据中心电源场景。
2、 氮化镓GaN
核心厂商主要有:三安光电、南大光电、乾照光电等。
3、磷化铟InP
核心厂商主要有:云南锗业、先导基电、有研新材、海特高新、海川智能等
一、磷化铟应用场景
磷化铟凭借高频、高效光电转换、抗辐射等核心特性,在高端光电领域具有一定的优势,产业链应用主要集中在四大核心场景:
1、数据中心高速光模块领域:磷化铟是制备800G、1.6T、3.2T高速光模块中EML激光器、APD探测光芯片的关键材料,用来支撑AI数据中心超高速、长距离数据传输,且光模块速率每升级一代,单模块磷化铟用量就会带来成倍增长。
2、CPO共封装光学领域:CPO作为AI服务器互联的下一代技术方案,高度集成化设计使得单机磷化铟用量大幅提升,是行业未来的核心增量。
3、6G与卫星通信领域:磷化铟具有高频低噪、抗辐射的特质,是6G射频器件、星间激光通信芯片的核心材料,有助力卫星互联网产业的高速发展。
4、自动驾驶领域,磷化铟用于高端长距激光雷达发射芯片,保障雷达探测精度与工作稳定性,支撑高阶自动驾驶技术的快速落地。
二、全球行业景气度
从行业整体景气度来看,全球磷化铟市场供需严重失衡,行业高景气度持续愈发明显。
全球光通信龙头Lumentum在OFC大会上表示,2026-2030年AI数据中心磷化铟需求年复合增长率高达85%,相关企业产能订单饱满,交付周期持续拉长。
当下全球磷化铟衬底供需缺口超70%,高端衬底更是明显紧缺,导致价格也迎来了大幅上涨。
2英寸高端磷化铟衬底价格从2025年初的800美元/片,飙升至2026年的2300-2500美元/片,涨幅接近190%。6英寸高端磷化铟衬底单价更是突破了5000美元。
如今磷化铟衬底交付周期从原本的8周延长至24-40周,海外头部厂商订单普遍排至2027至2028年。
三、国内磷化铟产业链
国内磷化铟产业链也在加速扩产补充产能,在中游磷化铟衬底环节,云南锗业是国内磷化铟衬底的主力厂商,旗下子公司鑫耀半导体现有产能15万片/年,2026年4月公司公告拟投资1.89亿元扩建产能,达产后总产能将提升至45万片/年,预计2027年底可以达产,鑫耀半导体由华为哈勃战略参股,当前订单量充足。
珠海鼎泰芯源是国内第二大磷化铟衬底厂商,上市公司博杰股份对其进行战略参股,目前正加速进行产能扩充,目标扩产至20万片/年。
上游磷化铟多晶料环节,除了新入局的河南铭镓半导体,陕西铟杰半导体是国内较早实现磷化铟多晶料规模化量产的企业,深耕行业多年,攻克了多项核心技术,现有年产20吨磷化铟多晶料产能,是国内磷化铟上游原料领域的先行者,也为行业早期国产化发展打下了基础。
赛道四:人工合成CVD钻石
看好钻石作为隔热材料在芯片封装中的应用潜力。
核心厂商主要有:惠丰钻石、力量钻石、黄河旋风、国机精工、中兵红箭等
目前金刚石行业商业化还存在两大瓶颈:
1. 产能瓶颈:单晶金刚石生长速率存在物理上限,制约了单台设备的产出数量,四方达投入4.5亿元扩产,年产能由2.5万平扩至15万平。黄河旋风计划3年内增加300台MPCVD设备,目标年产15万片金刚石基材。
2. 成本瓶颈:按照4‑6英寸金刚石片2‑3万元/片测算,单片散热成本较纯铜方案高出10倍以上,降低成本是行业下一阶段的核心任务。
随着产能持续释放、成本逐步下探,金刚石散热应用场景将全面拓宽:除核心GPU芯片外,3.2T高速光模块有望搭载小型金刚石片,初期单价在大几元量级。AI PC、AI笔记本也将逐步导入金刚石散热薄膜,仅算力GPU领域,金刚石散热市场空间至少可达500‑800亿元,长期成长空间可达千亿级别。
在金刚石散热领域具有相关业务布局的厂商主要有:
1. 黄河旋风:公司已经成功研制出可量产的最大8英寸热沉片,公司的多晶金刚石热沉片已通过华为验证,并配合华为碳化硅散热方案进入6-8英寸晶圆级量产阶段。公司研发的金刚石-碳化硅复合材料项目取得重大阶段性成果,解决高算力芯片散热及热膨胀技术难题。
2. 力量钻石:公司的金刚石散热片已量产,主要应用在AI算力芯片、半导体散热及新能源等领域。近期公司也在和多家国内半导体企业、科技企业积极对接,陆续推进送样测试。
3. 四方达:公司生产的CVD金刚石散热片可以用于GPU散热,目前,已通过海外客户测试,并进入小批量供货阶段,同时,公司正加快推进年产2.5万片CVD金刚石散热基地建设。
4. 中兵红箭:公司高度关注散热领域的应用研究和市场拓展,目前金刚石散热片已实现小批量生产。
5. 惠丰钻石:公司为金刚石微粉头部公司,主要产品包括金刚石微粉、金刚石破碎整形料及CVD培育钻石。公司客户主要为第三代半导体行业知名企业。
6. 沃尔德:公司在CVD金刚石的制备及应用方面具有超过15年的技术储备。目前各产品线处于小规模市场推广阶段。公司研发的高品质CVD金刚石热沉,能够解决大功率激光器在高功率密度下的散热难题,目前产品已通过客户认证。
7. 国机精工:公司金刚石散热片和金刚石光学窗口片已有小批量订单,公司金刚石散热产品矩阵覆盖金刚石单晶、金刚石多晶和金刚石同复合材料。目前,民用领域的产品已送样客户,有望年内获得小批量订单。
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周末卖方比较集中推的半导体设备、材料,陈立武访谈中涉及的核心赛道,也带来大厂扩产的设备需求以及持续的上游材料短缺,上周四的持仓,也是1只设备1只材料,重仓鼎阳科技,是以前看过一篇文章,在分析测试设备赛道时,列举了一大龙联讯和两小龙普源精电和鼎阳科技,甚至称呼鼎阳为小联讯。但周末看的一份研报,深入分析了测试设备赛道,原来普源和鼎阳,做的测试设备与联讯其实不在同一赛道,联讯做的是工厂自动化量产成套测试系统(1.6T 光模块产线整套测试机、SiC 晶圆老化分选设备),整条产线千万级订单,属于半导体 / 光通信资本开支产线设备,大厂扩产核心受益,而普源和鼎阳,做的是台式设备,重点在研发,仅有少量属于产线配套,大厂扩产受益程度有限。那就是说,周四的重仓,押错了对象。
半导体设备
SEMI 报告显示,2026年第一季度全球半导体设备出货金额同比增长14%,达到365.5亿美元,环比增长1%,创下单季历史新高。
华创证卷跟踪研究,6月前十天韩国半导体出口同比上升205.8%,从中国的进口同比上升57.4%,进一步印证当前半导体上行周期处于加速阶段。
而在此前,SK海力士多家设备供应商提出涨价要求,业内人士指出,连设备厂也提出涨价要求的情况“极为罕见”。
在此背景下,半导体设备迎来新一轮景气周期,国金证券研报指出,相关设备厂商在手订单已排至2027年。
方向一:光刻机
核心逻辑:光刻工艺占据芯片制造近四分之一设备价值,是技术壁垒最高的环节,全球市场由 ASML 、Canon、Nikon等主导,国产率不足1%;目前我国在深紫外(DUV)已实现部分突破,而极紫外(EUV)仅ASML量产,国产替代空间极为广阔。
产业链公司:上海微电子、张江高科、炬光科技、茂莱光学、波长光电、芯碁微装、蓝英装备、奥普光电等。
方向二:刻蚀设备
核心逻辑:光刻负责 “曝光画图”,刻蚀负责 “把图形真实刻在硅片上”,无刻蚀则无法完成芯片微观结构成型;SEMI数据显示,芯片制程从65nm演进至7nm,刻蚀步骤数量激增超300%,而3D NAND层数从32层到128层,刻蚀设备用量占比从35%升至48%,刻蚀价值不断凸显。
产业链公司:中微公司、北方华创、屹唐股份、盛美上海、富创精密、汉钟精机、先导基电、矩子科技等。
方向三:薄膜沉积设备
核心逻辑:薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀设备并列半导体制造的三大核心设备,其负责沉积导体、绝缘体等膜层,构建芯片基础结构;SEMI数据显示,薄膜沉积设备占半导体设备市场约20%,随着芯片结构从2D向3D演进,对干法刻蚀设备需求激增。
产业链公司:北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米、盛美上海、芯源微等。
方向四:CMP设备
核心逻辑:CMP(化学机械抛光)通过化学腐蚀与机械研磨实现晶圆全局平坦化,贯穿芯片制造与封装全流程;受AI芯片、HBM高端需求爆发及晶圆厂扩产驱动,SEMI预测2026年全球CMP设备市场规模将突破150亿美元,2025至2030年复合增长率超17%。
产业链公司:华海清科、中微公司、晶亦精微、安集科技、鼎龙股份、江丰电子、上海新阳等。
方向五: 量/检测设备
核心逻辑:量检测设备贯穿晶圆制造全流程,用于检测缺陷、测量膜厚与关键尺寸,直接决定晶圆良率,目前仍由国外企业主导,国产替代空间大;相关行业报告显示,2025年全球量/检测设备市场规模约130亿美元,预计2025至2030年复合增速5.4%。
产业链公司:精测电子、中科飞测、赛腾股份、天准科技、长川科技、华峰测控、联讯仪器、华兴源创等。
方向六:PLP、TGV等先进封装设备
核心逻辑:PLP(面板级封装)与TGV(玻璃通孔)是新一代先进封装设备,随着AI芯片尺寸持续增大、设计日趋复杂,半导体封装正迎来“以方代圆”变革,PLP设备应运而生;同时,国内外企业加速布局玻璃基板,也将同步带动TGV设备需求提升。
产业链公司:华海清科、北方华创、盛美上海、京东方A、沃格光电、大族激光、帝尔激光、德龙激光、海目星等。
整体来看,我国半导体设备正迎来需求提升、价格上涨、国产替代加速的黄金发展期,上述六大细分方向也成为产业发展相对重要的环节。
要做,就做核心
现在已经有博主预判高位股已经是出货阶段,下周逐步减仓,控制风险了。上周逢高出掉了正帆、仕佳,我目前手上主要是蓝思科技,天齐锂业,众合科技,请老师帮看下风险大不大。
1、PCB板块行情核心催化因素
本次行情核心催化为大摩发布的VR200服务器架构拆解报告。报告显示,VR200服务器中存储价值量同比增速最快,接近5倍;PCB价值量增速仅次于存储,单机柜PCB价值量从GB300的3.5万美金提升至VR200的近12万美金。PCB属于离芯片端较近的环节,重要性仅次于GPU、CPU、存储。当前PCB成本仅占服务器整体成本约1%,终端厂商对PCB价格敏感度较低,在铜箔、电子布、覆铜板、钻针等上游原材料涨价背景下,PCB厂商具备充足的成本传导空间,盈利弹性可观。
·行业增长乘数效应:PCB行业具备明确的增长乘数效应逻辑,由两大因素共同驱动:一是服务器机柜数量的高速增长,二是单机柜PCB价值量的持续提升。从GB300到VR200,单机PCB价值量已实现3倍多的增长,后续从VR200到Rubin Ultra这一代Cabber机架,再到2028年推出的费曼架构,若每代产品PCB价值量仍能维持2-3倍的提升幅度,PCB整体市场空间将按乘数效应增速快速扩容,这也是上月PCB链条跑出优秀表现的核心原因。
2、PCB行业资本开支
·资本开支规划情况:PCB厂商资本开支规划落地需1年左右周期,2025年全年扩产规划合计600亿元,规划密集出台于6-9月,后续无新增项目导致2025Q4 PCB设备表现低迷,市场担忧本轮扩产周期结束、资本开支见顶。2026年以来扩产进度超预期,1-6月已披露的扩产规划合计接近800亿元,核心厂商规划包括:鹏鼎合计规划投资253亿元,其中深圳宝安新地块计划新增投资100亿元;沪电披露的规划合计投资接近200亿元;盛虹通过港股融资100亿元+自有资金追加100亿元,合计200亿元资本开支规划;生益、深南等厂商也同步推进定增融资用于扩产。由于每年Q3是PCB行业扩产及生产旺季,2026年7-9月仍有新增扩产规划超预期的可能,全年总扩产规划有望达到1000-1200亿元,资本开支斜率持续上行,对上游设备企业形成明确利好。
·长期行业空间测算:2026年投放的资本开支对应2027年设备端订单与收入,需求端乘数效应可支撑行业长期成长逻辑,消化当前估值水平。从需求端测算,若AI服务器出货保持50%的复合增速,2028年AI服务器年出货量有望达30万柜;当前单AI服务器机柜PCB价值量约11万美金(近80万人民币),若后续随GPU升级、技术迭代,PCB价值量实现2-3倍增长,下一代单机柜PCB价值量有望达200万人民币,对应2028年整体AI PCB行业产值有望达7000-8000亿元。从供给端测算,2025-2026年合计1400亿元的扩产投资,按行业平均1:2左右的投入产出比计算,对应AI PCB产值约3000亿元,与需求端预期规模存在较大缺口,缺口由AI服务器出货量高增、单机柜PCB价值量快速提升共同驱动。
·行业贝塔属性判断:PCB上游投资遵循贝塔优先逻辑,上游设备标的不存在脱离行业贝塔的独立阿尔法行情。当前行业贝塔向好的核心支撑有三点:一是资本开支在2026年下半年及2027年仍将持续加速;二是芯片出货量保持增长;三是技术迭代带动单机柜PCB复杂度及价值量持续提升。乘数效应将为行业市场空间扩容提供强支撑,确认贝塔向好后可进一步在上游设备、耗材领域选股。
3、PCB设备行业趋势
PCB设备具备二阶导属性,周期性更强,格局优于耗材,收入与利润来源于板厂资本开支。板厂资本开支约70%用于采购设备,今年板厂规划的千亿资本开支对应设备市场规模约700亿,为行业确定性贝塔。选股核心为选择通胀最大、份额提升空间最高的环节,阿尔法来源于设备企业在整体设备蛋糕中可分到的份额及份额提升空间。该方法论已得到验证:去年减成法工艺下通量最大的钻孔环节对应标的大族数控,是同期PCB设备企业中业绩兑现最多、表现最好的标的。
·mSAP工艺需求与特点:M为改良型半加成法工艺,此前主要应用于手机主板、BT载板等领域,当前1.6T光模块增量、Co-Op工艺、NPU技术渗透均对PCB线路精度提出更高要求,推动该工艺需求快速提升:此前800G光模块用减成法即可生产,1.6T光模块更高的传输速率使得趋肤效应更显著,需采用M Sub工艺制备更高精度的线路。
工艺差异主要体现在两个维度:
a. 精度表现:减成法底铜厚度至少12微米,线宽线距极限为35微米,无法满足20微米及以下精度要求;M Sub工艺底铜为2微米厚的载体铜箔,线宽线距可控制到15微米;更高阶的ABF载板、玻璃基板需使用半加成法,直接在ABF膜上闪镀0.3-0.5微米厚铜层作为种子层,可实现更窄线宽线距。
b. 工序流程:减成法流程为激光钻孔→水平沉铜→垂直电镀→曝光显影,干膜保护线路区域后刻蚀多余铜得到成品;M Sub工艺核心差异为水平沉铜后先做曝光显影,干膜保护非线路区域、暴露待走线区域,再做垂直电镀在待走线区域生长线路,后续通过闪蚀去除薄载体铜层得到成品,闪蚀不会影响电镀生长的铜晶格,工艺可控性更强。
当前M Sub工艺核心厂商为鹏鼎、深南、兴森、广州美维,景旺、宏柏、盛宏、博敏电子、方正科技等企业均在积极扩产,线宽线距缩小为明确行业趋势,后续市场空间可观。
·设备环节受益赛道:不同PCB工艺下受益的设备环节差异明显:减成法工艺下最受益的是钻孔环节,对应标的为大族数控;M Sub工艺扩产背景下,最受益的是电镀、激光钻孔两个环节。从设备投资结构来看,单6亿元MSAP相关工艺PCB设备投资中,电镀环节占1.3亿元,激光钻孔环节占近0.9亿元,是投资占比最高的两个环节,对应标的分别为东威科技、大族数控,二者在当前行业高贝塔下份额提升空间最大,属于通胀最高的设备环节。
4、核心设备标的投资价值分析
·大族数控投资价值:PCB加工领域过去三十年普遍采用二氧化碳激光钻高温烧蚀工艺加工HDI板、类载板增层,当前产业趋势变化带来设备迭代需求:一是未来Q材放量后熔点极高,二氧化碳激光钻无法加工,需采用超快激光钻;二是类载板线宽线距缩小至15微米后,孔径需进一步缩小至50微米水平,二氧化碳激光钻仅在加工80-150微米孔径时具备优势,超快激光钻加工30-80微米孔径适配性更强。叠加进口二氧化碳激光钻交期长达1年以上,采购后若Q材于明后年在HDI领域放量,设备应用场景将大幅受限,当前扩产M-Sub相关PCB选择超快激光钻性价比更高。
大族数控是国内唯一面向PCB领域实现超快激光钻批量化出货的企业,在该领域竞争地位牢固,2026年为其超快激光钻放量元年。经测算,1.67光模块扩产将为大族数控超快激光钻带来40亿左右的增量空间;上一轮扩产HDI时,三菱二氧化碳激光钻年订单近1000台,对应1000台超快激光钻即有60亿市场规模,叠加M-Sub领域需求,PCB领域超快激光钻整体市场规模达百亿级,若按80%市占率测算,对应80亿收入、24亿利润,可贡献600-700亿市值增量。此外,大族数控深耕玻璃基板领域多年,京东方、沃格光电、安吉丽美维等客户均采用其超微激光钻加工玻璃基板,是玻璃基板产业链背后的核心卖铲人,后续玻璃基板量产将贡献额外业绩增量。盈利预测方面,2026年公司利润约23亿,2027年业绩预期为35-40亿,给予2027年30倍估值对应1200亿市值,叠加激光钻业务、玻璃基板业务增量,目标市值为2200-2300亿。
·东威科技投资价值:东威科技为M-Sub领域核心受益标的,估值水平显著低于同业:同赛道设备企业按远期增量测算估值已达40倍,东威科技2027年估值仅30倍,性价比突出。公司核心业务进展如下:a.M-Sub领域移载式VCP已实现批量出货,客户覆盖宏板、沪电等头部厂商;b.主打国产替代的水平三合一产品已拿到可观订单,2026年公司整体订单预计为35-40亿,可于2027年贡献10亿利润,给予30倍估值对应300亿市值基本盘。
行业空间方面,M-Sub工艺单条产线需投入1.3亿电镀设备,当前行业已公布30条产线规划,若按千亿M-Sub产值测算,远期需50-60条产线,对应电镀设备增量市场规模达60亿。若按公司40%市占率、25%净利率测算,可带来6亿利润增量,对应约100亿市值增量。此外,公司已布局玻璃基板设备、HVLP五铜箔设备等品类,后续量产将贡献额外业绩增量。综合测算,公司目标市值为450-500亿,是M-Sub产业链值得重点关注的标的。
5、PCB耗材环节投资分析
·耗材环节选股逻辑:PCB钻针耗材具备一阶导属性,需求跟随PCB产值增长,周期性显著弱于设备,赛道逻辑优于设备环节。当前行业竞争格局快速恶化,去年市场主流仅鼎泰、中钨、尖点、优能4家,今年通过收并购方式新进入赛道的企业超5家,包括欧科亿、新锐股份、民爆光电、杰美特、天工国际等,未来竞争将进一步加剧。此背景下选股优先锚定具备技术溢价、高技术壁垒、格局恶化速度慢、净利率高的细分环节,重点关注高长径比钻针赛道。
·钻针市场增长逻辑:钻针市场量价齐升的核心驱动来自服务器升级与材料迭代:伴随服务器从GB200到300到Ruby到Ruby Ultra四代升级,PCB板厚从3.5mm逐步提升至8mm,不同厚度PCB对应不同分段钻孔工艺,最薄板仅需1根短针,厚板最多需4根针加工,短针单价仅1元左右,高长径比长针单价最高可达15-20元;同时Q布、PTIPE等新材料的应用对钻针寿命提出更高挑战,钻针消耗速度进一步提升,共同构成行业量价齐升底层逻辑。经测算2027年整体钻针市场规模约230亿元,增量主要由AI需求贡献,需求结构上20倍、30倍长径比钻针需求量占比近70%,但价值量结构相反,40倍、50倍长径比钻针价值量合计占比达70%,率先在高长径比钻针领域拿到更高市场份额的企业将充分受益。当前重点关注头部企业布局,中钨高新旗下荆州精工技术实力可与日本优能抗衡,为国内技术能力最强的厂商,鼎泰高科也在积极布局高长径比钻针领域,两家企业均有望享受行业增长红利。
·钻针棒材国产替代机会:棒材为钻针核心原材料,占钻针生产成本的25%-30%,经测算2027年钻针棒材市场规模约40亿元。当前供给端出现显著变化:受通胀、出口管制等因素影响,住友、三菱等海外高端棒材厂商对国内供给量缩减,同时启动提价,部分硬质合金标品改为非标方式销售,给国内棒材厂商带来明确的国产替代机遇。当前替代进度方面,30倍以下长径比钻针棒材已完全实现国产替代,40倍、50倍高长径比棒材的核心卡点为0.1-0.2微米超细钨粉,国内厂商正加快技术攻关,中钨高新已和中南大学合作开展棒材及上游原材料研发,明年后年伴随AI高长径比钻针需求爆发,国产替代进程有望加速。竞争格局方面,国内原有棒材核心厂商为中钨高新、夏钨、蓬莱超硬,其中中钨高新市占率最高、产品质量最优,新进入布局的企业包括新锐股份、欧科亿、华锐精密。需注意当前海外厂商并未完全断供,住友仍在向鼎泰、金州等头部钻针企业供货,仅供给量减少、价格上涨,不会出现严重卡脖子问题,长期来看供给收缩将倒逼国产替代加速落地。投资标的方面,棒材环节重点看好中钨高新、夏钨及新入局的新锐股份、欧科亿、华锐精密;钻针环节重点推荐中钨高新(目标市值3000亿元以上)、鼎泰高科(当前市值2500亿元,7月拟发行港股,目标市值3000亿元)。
6、行业投资方向总结
·核心投资方向梳理:PCB行业未来成长为机柜量增长与PCB单机柜价值量提升双驱动的乘数效应,其中PCB价值量提升速度未来仍可达到翻倍甚至翻倍以上,市场增长天花板较高。当前下游PCB企业格局恶化速度较快,除去年的胜宏、沪电外,深南、鹏鼎、方正等多家企业均在排队切入北美海外AI供应链,核心原因是该赛道净利率水平很高,后续行业将出现冗余建设、竞争加剧的情况,因此上游设备及耗材环节最为受益。
投资标的选择上,设备端优先判断贝塔属性足够优秀,再选择弹性和通胀属性最强的环节,推荐大族数控、东威科技两家公司;钻针耗材环节优先选择一阶导逻辑更优、竞争格局恶化速度慢、具备技术溢价、可在高场景比钻针领域拿到更高市场份额的企业,推荐中钨高新、鼎泰高科、民曝光电三家公司。
只能从量价形态上简单看看,众合科技,横盘整理半个月,已经是地量,虽然近期有负面消息但回撤的风险不大,但同时上涨的信号还没出现,后续留意放量信号,这种底部企稳的票,往往需要不止一次的倍量拉升才能确定趋势
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