周末一些热点:[淘股吧]
1、新闻联播用了1分53秒,报道了外资机构继续看好中国市场,距离上次6月3日,新闻联播报道长线外资看好中国,只隔了只有17天,历史少见。这其中释放了什么信号,可以自己慢慢品。
2、股市相关:

周末中东局势一波三折,最终双方还是在谈判桌坐了下来,万斯称过去几小时取得重大进展。


周四晚(周五美股假日休市),美股科技大涨,费城半导体+6.42%,多只芯片股历史新高:


周五日股 光纤龙头藤仓大涨15.69%。
前一晚,藤仓业绩大幅上修46.8%,对于2026年4月1日至2027年3月31日期间预计实现的归母净利润规模,由1560亿日元大幅上修为2290亿日元。藤仓表示,上半年已完成产品涨价落地,同时氢气供应紧张的局面有望在下半年得到缓解。

“物理AI第一股”海清智元暗盘暴涨262%,下周一港股上市。

3、涨价:


华大电子涨价函:7月1日起对MCU产品价格适当调整

木林森6月12日官宣全线PCB产品上调20%后,6月17日再次发函,宣布在原有涨幅基础上再次上调10%
消息称全球第二大晶片电阻厂商厚声自 6 月 21 日起对 0201-1206 全系列贴片电阻全面上调报价,原有报价全部作废,渠道订单需重新议价。国内电阻第一大厂, 端午前通知代理商全面涨涨幅20%~30%,调价幅度高于厚声。

韩媒ETNews称甲骨文韩国分公司全线产品涨价涨幅10%左右

4、一些数据:


MPO及光模块5月海关出口追踪:

假期还发酵了上周TrendForce的测算:AMD最新的MI450,MLCC用量从每板1440颗暴增至10544颗,增幅高达632%



亿纬锂能后,第二份锂电预增出炉
富祥股份:今年上半年公司盈利1.65亿元至2.145亿元,去年同期亏损691.12万。扣非净利润1.61亿元至2.105亿元,去年同期亏损3217.98万元。

对应Q2净利1.04 亿~1.53 亿元,环比增69.63%~150.52%,同比扭亏。扣非1.007 亿~1.502 亿,环比+67.19%~+149.34%,同比扭亏。
业绩超预期。主要因为VC、FEC产品销售量价齐增,新能源业务已成为公司业绩增长的核心引擎。
所以今晚吹锂电添加剂VC的又多了起来。

其他


1、国家能源局:2026年5月份全社会用电量同比增长6.9%
2、广东:加快建设全国一体化算力网络粤港澳大湾区枢纽 前瞻布局6G技术与卫星互联网
3、我国在商用光纤端部构建一种三维光纤微镊 微镊输出力是传统光镊的十万倍以上
4、存储芯片公司英韧科技完成IPO辅导
5、航天:
蓝箭航天公号推文“只需相信,接二连三,都会如期而至”,市场解读或与朱雀三号火箭回收有关
垣信卫星成功打通国内首例无改造存量商用手机直连卫星通话
7、特斯拉加速推进人工智能机器人战略 申请注册“Amazing Abundance”商标
8、供应链公司:已向苹果首款折叠屏iPhone小批量供货

投资圈热议:这个周末在投资圈里热议程度最高的,还是陈立武这篇访谈。明天开盘大概率是会发酵的。


2026年6月18日,英特尔CEO陈立武在播客访谈中提出,我正将投注重心转向先进封装技术EMIB、玻璃基板、以及氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、磷化铟(InP)和人工合成钻石等新材料领域,以应对传统工艺节点微缩趋近物理极限的挑战。


英特尔过去14个月已为股东创造了约6倍回报,早年执掌Cadence期间为股东创造76-85倍的超高回报,本次访谈定下5-10年英特尔实现10倍市值回报。

英特尔CEO陈立武重点提出的几个核心赛道

赛道一:EMIB先进封装

智能体AI和推理场景爆发,服务器CPU与GPU配比从1比8收敛至1比4,单台服务器多芯粒集成需求大幅提升,英特尔EMIB开放承接全球CPU、GPU、光模块芯粒订单,已有大客户预付数十亿美元锁定基板封装产能。

国内先进封装赛道核心厂商主要有:盛合晶微甬矽电子长电科技通富微电晶方科技华天科技等。


相较于传统封装,先进封装能够实现更高密度的芯片互联、更高效的带宽传输、更低的信号延迟,同时也可通过异构集成方案平衡性能与成本,能够适配AI算力芯片、各类高性能存储芯片的规模化应用要求。

从下游需求来看,无论是支撑AI算力核心的GPU、高性能CPU芯片,还是承担高速数据的HBM高带宽存储芯片,以及主流应用场景中广泛使用的DDR4/DDR5内存、3D堆叠NAND Flash存储芯片,均对封装环节的互联密度、传输带宽、散热能力、集成度提出了更高要求。

目前先进封装行业内主流技术路线主要有以下几种:

2.5D封装:行业主流高端方案,以台积电CoWoS为代表,通过硅中介层实现多芯片横向集成,带宽表现优异,量产成熟度较高,为高端AI芯片的主流应用方案。

3D堆叠封装:高集成度方案,以台积电SoIC、三星X-Cube为代表,通过垂直堆叠与键合技术提升芯片集成密度,主要应用于HBM、3D NAND等高端存储与高算力芯片领域。

Chiplet芯粒异构集成:高性价比方案,以长电XDFOI™、英特尔EMIB为代表,通过多芯粒模块化整合实现性能拓展,适配AI芯片、通用计算芯片的规模化量产需求。

HBM合封+存储配套封装:AI服务器主流配套方案,同步覆盖DDR5、3D堆叠存储芯片封装需求,助力算力芯片与存储芯片实现一体化高效集成。

一、市场规模:AI算力需求带动,高端封装赛道保持较高增长水平

本文采用某权威机构预测的先进封装市场规模,核心规模数据如下:

2025年:全球高端AI先进封装市场规模约480亿美元。
2030年:全球高端AI先进封装市场规模预计突破1020亿美元
2025-2030年复合增长率约24%.

行业增长核心驱动因素主要来自于:一方面,AI服务器单机搭载的GPU数量、HBM堆叠层数持续提升,带动封装需求总量同步增长。另一方面,高端AI芯片、新一代存储芯片的单颗封装价值量显著高于传统封装价值量。

再加上英伟达、AMD、谷歌、微软、亚马逊、华为、阿里等全球科技企业持续加大AI算力领域资本开支,高端先进封装行业需求保持旺盛。

二、全球核心封测厂商:台积电领衔,国产厂商加速追赶

1. 台积电

主攻技术路线:2.5D CoWoS、3D SoIC堆叠,覆盖高端AI GPU+HBM全流程集成封装,CoWoS产能在全球高端AI封装领域占据较高市场份额。

客户资源:英伟达、AMD、苹果、谷歌、微软、亚马逊、博通、高通、SK海力士、美光、寒武纪、海光等,基本覆盖全球主流AI算力芯片头部客户。

最新扩产动态:2025–2027年先进封装累计资本开支金额约190–380亿美元。 CoWoS产能2025年底月产能约5万片,2026年底达11.5万–14万片,2027年底提升至17万片,较2025年底产能扩产约240%。

2. 长电科技

主攻技术路线:2.5D/3D封装、Chiplet(XDFOI™)、HBM-GPU异构合封,国内少数实现HBM全流程封装量产的企业。自研XDFOI™技术可支持4nm工艺芯片异构集成,高精度技术达到行业先进水平。

客户资源:英伟达、AMD、海光、鲲鹏、SK海力士、美光、谷歌、英特尔,为国内外高端AI芯片提供封测配套支持。

最新扩产动态:2025年资本开支85亿元,重点扩建东莞HBM封装基地、上海临港高端算力封装产线,新增HBM相关产能约30万片/年 。2026年持续加码先进封装,江阴、韩国、新加坡产线同步扩产,高端AI封装产能同比增长约40% 。

3. 通富微电

主攻技术路线:FC-BGA、2.5D类CoWoS有机基板方案、Chiplet异构集成,聚焦中端AI算力芯片高性价比封装方案。实现85×85mm大尺寸FC-BGA规模化量产,110×110mm规格完成验证,类CoWoS封装方案具备一定的成本优势。

客户资源:AMD、英伟达、海光、瑞芯微,与AMD保持长期稳定的封测合作关系。

最新扩产动态:2026年资本开支91亿元,其中42.2亿元定增投向存储、汽车电子、高性能计算封测。存储芯片封测项目新增84.96万片/年产能,槟城工厂聚焦AI算力封测,2026年新增高端FC-BGA产能约20万片/年 。

4. 华天科技

主攻技术路线:2.5D/3D封装、Fan-Out、FOPLP扇出面板级、FC-BGA,同步布局AI算力、汽车电子、存储芯片封装领域。2.5D硅中介层线宽线距达到2μm/2μm,实现6层以上多层互联工艺量产水平,玻璃基板封装技术具备行业前瞻性。

客户资源:英伟达、AMD、海光、寒武纪、紫光展锐、三星、SK海力士。

最新扩产动态:2025年设立先进封测子公司,南京二期投产、马来西亚基地扩建,总投资35亿元,新增2.5D/FC-BGA产能约15万片/年 。2026年:持续扩产AI与存储封装产线,高端封装产能同比增长约35%。

5. 盛合晶微

主攻技术路线:12英寸Bumping、2.5D硅中介层、TSV、Chiplet芯粒集成,专注高端封装中段加工环节。12英寸Bumping、2.5D封装在国内市场占据较高份额,国内较早实现14nm Bumping工艺规模化量产企业。

客户资源:高通、英伟达、海光、鲲鹏、寒武纪,同时为国内头部封测企业提供中段代工服务。

最新扩产动态:IPO募资约50.28亿元,其中48亿元用于三维多芯片集成封装、超高密度互联项目 。2025–2026年新增12英寸Bumping产能约20万片/年、2.5D硅中介层产能约10万片/年,匹配国产AI芯片中段封装需求 。

6. 甬矽电子

主攻技术路线:FC-BGA、Bumping、WLP晶圆级封装、2.5D工艺研发,聚焦AI服务器GPU/CPU高端封装场景。FC-BGA高精度倒装、RDL重布线工艺适配大尺寸、高I/O密度的高端AI芯片封装需求。

客户资源:英伟达、AMD、海光、瑞芯微、紫光展锐、寒武纪。

最新扩产动态:总投资110亿元,2025–2026年分批投产,新增FC-BGA产能约25万片/年,聚焦AI服务器高端封装,2026年先进封装业务实现高速增长。

7. 晶方科技

主攻技术路线:WLP晶圆级封装、TSV硅通孔、Fan-Out、2.5D工艺研发,聚焦AI传感器、HBM及存储芯片配套封装。8/12英寸晶圆级TSV工艺实现规模化量产,车规级TSV工艺在细分领域具备一定技术优势。

客户资源:三星、SK海力士、美光、英伟达、索尼,为头部封测企业提供HBM配套封装服务。

最新扩产动态:2025年投资12亿元扩建WLP/TSV产线,新增存储配套封装产能约18万片/年 。2026年推进2.5D中试线建设,切入HBM配套封装供应链,补充国内高端存储封装产能供应。

三、产业链总结

从行业发展趋势来看,2.5D向3D堆叠升级、Chiplet异构集成普及、HBM合封规模化应用,是未来先进封装的核心演进方向。伴随AI算力需求持续释放、新一代存储芯片渗透率提升,行业整体保持较高景气度,国内封装企业依托产能扩张与技术突破,国产化


赛道二:TGV玻璃基板

陈立武:我们投资玻璃基板公司3DGS,玻璃拥有极佳的散热、绝缘性能,是下一代先进封装核心载体。我们在美国新墨西哥州打造全球首条玻璃芯基板量产线,推出24层玻璃芯基板搭配EMIB工程样品,解决高密度布线、高功耗芯片散热痛点。

核心厂商:沃格、京东方、戈碧伽、美迪凯帝尔激光英诺激光凯盛科技等。


玻璃基板核心壁垒集中于TGV玻璃通孔技术,超快激光打孔、刻蚀、PVD镀膜、黄光光刻为核心配套设备。

国内单条510×515mm玻璃基板产线投资13‑15亿元,满产年产能可以达到8‑10万平方米,机构测算2030年全球玻璃基板市场规模有望超300亿美元,国产替代的成长空间较大。

一、玻璃基板核心设备环节

1. 激光钻孔设备

帝尔激光:作为TGV激光设备的行业领跑者,国内布局玻璃基板TGV超快激光打孔的核心企业,可实现超薄玻璃微米级通孔无崩边加工,适配3D堆叠大尺寸玻璃基板加工需求。

大族激光:布局超快激光TGV打孔、盲孔腐蚀专用设备,适配大尺寸超薄玻璃基板精密加工,加速推进国内玻璃基板厂商开展样品验证。

英诺激光:专注于半导体超快激光微加工领域,针对玻璃基板TGV微孔、盲孔开发定制化加工系统,适配玻璃基板通孔成型的精密制程需求。

海目星:公司在TGV玻璃通孔技术上具备激光+蚀刻全链条自研一体化的核心优势,是全球为数不多的可实现激光器自研、激光专用设备、激光加工工艺、化学蚀刻工艺及配套设备的综合服务商。

2. 刻蚀、PVD镀膜、光刻设备

中微公司:聚焦刻蚀设备研发,适配玻璃基板TGV通孔刻蚀、通孔精细化修整工艺,可满足玻璃基材精密刻蚀要求,为3D堆叠玻璃基板通孔制程提供设备支撑。

北方华创:国内PVD镀膜设备主力企业,开发玻璃基板专用磁控溅射设备,解决TGV通孔内壁均匀金属化难题,适配玻璃基板镀膜核心工艺环节。

上海微电子:攻坚高端步进扫描光刻机,适配玻璃基材高精度曝光工艺,助力大尺寸基板精细线路成型,适配3D堆叠高密度互连加工需求。

二、玻璃基板材料及生产厂商

沃格光电:国内玻璃基板的全制程工艺领军企业,掌握玻璃基板生产的核心技术,已建成国内首条全流程自主可控TGV量产线,具备玻璃基板批量交付能力。目前玻璃基板处于客户送样验证阶段。

凯盛科技:国内超薄电子玻璃重点企业,布局半导体级玻璃基板专用基材,把控热膨胀系数、基材纯度等关键指标,适配TGV工艺要求,推进国产基材验证落地。

彩虹股份:依托面板玻璃技术积淀,布局超薄半导体级玻璃基板基材研发,优化平整度、热稳定性等核心性能,推进TGV用玻璃基板量产相关研发工作。

长信科技:深耕超薄玻璃减薄、精密成型加工,开发玻璃基板配套加工工艺,适配国内玻璃基板产线加工环节,助力玻璃基板国产化进程。

三、赛道成长空间总结

玻璃基板成为英伟达、谷歌、微软等全球AI巨头芯片先进封装的升级方向,匹配3D堆叠先进封装的升级节奏,2026‑2027年设备端有望优先受益,随着2028年后商业化进程的逐步推进,2030年全球市场规模有望突破300亿美元。

赛道三:第三代半导体新材料(SiC/GaN/InP)

1、碳化硅SiC

核心厂商主要有:晶升股份晶盛机电天岳先进露笑科技三安光电正帆科技


前英伟达、台积电等企业也在对碳化硅散热方案开展测试验证,该路线与金刚石散热形成差异化定位,碳化硅凭借性价比优势,有望在中高端AI加速卡领域率先实现规模化应用。

国内在碳化硅领域有业务布局的厂商主要有:

1. 天岳先进:导电型碳化硅衬底国内头部企业,公司是全球少数实现8英寸碳化硅衬底量产的厂商,也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。8英寸碳化硅产品供货英飞凌、富士康,12英寸产品处于客户验证阶段。

2. 露笑科技:公司8英寸碳化硅衬底片已研发成功,预计一二季度逐步出货,目前公司已制备出合格的12英寸碳化硅单晶样品。产品主要面向国内AI电源、算力配套厂商。

3. 三安光电:公司实现碳化硅衬底‑外延‑芯片‑模块一体化生产,8英寸碳化硅配套产能12000片/月,公司的12英寸碳化硅衬底已向客户送样验证。

4. 晶盛机电:碳化硅长晶炉设备核心厂商,可适配6/8英寸碳化硅衬底生产,合作客户覆盖天岳先进、露笑科技等头部衬底厂商,行业扩产将持续带动设备订单增长。

5. 晶升股份:公司是碳化硅晶体生产设备国内主要厂商之一,8英寸设备正在批量交付过程中,目前公司正就12英寸碳化硅设备与客户开展合作研发。

6. 斯达半导:国内碳化硅功率模块主力厂商,高压碳化硅模块已通过台达等头部电源厂商认证,间接进入英伟达800V AIDC供应链。

7. 华润微:IDM模式功率半导体企业,600V‑1700V 碳化硅 MO SFET 已实现量产,去年公司碳化硅产能就达到2500片/月,公司正在积极扩产中,产品主要面向数据中心电源场景。

2、 氮化镓GaN

核心厂商主要有:三安光电、南大光电乾照光电等。

3、磷化铟InP

核心厂商主要有:云南锗业先导基电有研新材海特高新海川智能


一、磷化铟应用场景

磷化铟凭借高频、高效光电转换、抗辐射等核心特性,在高端光电领域具有一定的优势,产业链应用主要集中在四大核心场景:

1、数据中心高速光模块领域:磷化铟是制备800G、1.6T、3.2T高速光模块中EML激光器、APD探测光芯片的关键材料,用来支撑AI数据中心超高速、长距离数据传输,且光模块速率每升级一代,单模块磷化铟用量就会带来成倍增长。

2、CPO共封装光学领域:CPO作为AI服务器互联的下一代技术方案,高度集成化设计使得单机磷化铟用量大幅提升,是行业未来的核心增量。

3、6G与卫星通信领域:磷化铟具有高频低噪、抗辐射的特质,是6G射频器件、星间激光通信芯片的核心材料,有助力卫星互联网产业的高速发展。

4、自动驾驶领域,磷化铟用于高端长距激光雷达发射芯片,保障雷达探测精度与工作稳定性,支撑高阶自动驾驶技术的快速落地。

二、全球行业景气度

从行业整体景气度来看,全球磷化铟市场供需严重失衡,行业高景气度持续愈发明显。

全球光通信龙头Lumentum在OFC大会上表示,2026-2030年AI数据中心磷化铟需求年复合增长率高达85%,相关企业产能订单饱满,交付周期持续拉长。

当下全球磷化铟衬底供需缺口超70%,高端衬底更是明显紧缺,导致价格也迎来了大幅上涨。

2英寸高端磷化铟衬底价格从2025年初的800美元/片,飙升至2026年的2300-2500美元/片,涨幅接近190%。6英寸高端磷化铟衬底单价更是突破了5000美元。

如今磷化铟衬底交付周期从原本的8周延长至24-40周,海外头部厂商订单普遍排至2027至2028年。

三、国内磷化铟产业链

国内磷化铟产业链也在加速扩产补充产能,在中游磷化铟衬底环节,云南锗业是国内磷化铟衬底的主力厂商,旗下子公司鑫耀半导体现有产能15万片/年,2026年4月公司公告拟投资1.89亿元扩建产能,达产后总产能将提升至45万片/年,预计2027年底可以达产,鑫耀半导体由华为哈勃战略参股,当前订单量充足。

珠海鼎泰芯源是国内第二大磷化铟衬底厂商,上市公司博杰股份对其进行战略参股,目前正加速进行产能扩充,目标扩产至20万片/年。

上游磷化铟多晶料环节,除了新入局的河南铭镓半导体,陕西铟杰半导体是国内较早实现磷化铟多晶料规模化量产的企业,深耕行业多年,攻克了多项核心技术,现有年产20吨磷化铟多晶料产能,是国内磷化铟上游原料领域的先行者,也为行业早期国产化发展打下了基础。

赛道四:人工合成CVD钻石

看好钻石作为隔热材料在芯片封装中的应用潜力。
核心厂商主要有:惠丰钻石力量钻石黄河旋风国机精工中兵红箭


目前金刚石行业商业化还存在两大瓶颈:

1. 产能瓶颈:单晶金刚石生长速率存在物理上限,制约了单台设备的产出数量,四方达投入4.5亿元扩产,年产能由2.5万平扩至15万平。黄河旋风计划3年内增加300台MPCVD设备,目标年产15万片金刚石基材。

2. 成本瓶颈:按照4‑6英寸金刚石片2‑3万元/片测算,单片散热成本较纯铜方案高出10倍以上,降低成本是行业下一阶段的核心任务。

随着产能持续释放、成本逐步下探,金刚石散热应用场景将全面拓宽:除核心GPU芯片外,3.2T高速光模块有望搭载小型金刚石片,初期单价在大几元量级。AI PC、AI笔记本也将逐步导入金刚石散热薄膜,仅算力GPU领域,金刚石散热市场空间至少可达500‑800亿元,长期成长空间可达千亿级别。

在金刚石散热领域具有相关业务布局的厂商主要有:

1. 黄河旋风:公司已经成功研制出可量产的最大8英寸热沉片,公司的多晶金刚石热沉片已通过华为验证,并配合华为碳化硅散热方案进入6-8英寸晶圆级量产阶段。公司研发的金刚石-碳化硅复合材料项目取得重大阶段性成果,解决高算力芯片散热及热膨胀技术难题。

2. 力量钻石:公司的金刚石散热片已量产,主要应用在AI算力芯片、半导体散热及新能源等领域。近期公司也在和多家国内半导体企业、科技企业积极对接,陆续推进送样测试。


3. 四方达:公司生产的CVD金刚石散热片可以用于GPU散热,目前,已通过海外客户测试,并进入小批量供货阶段,同时,公司正加快推进年产2.5万片CVD金刚石散热基地建设。


4. 中兵红箭:公司高度关注散热领域的应用研究和市场拓展,目前金刚石散热片已实现小批量生产。

5. 惠丰钻石:公司为金刚石微粉头部公司,主要产品包括金刚石微粉、金刚石破碎整形料及CVD培育钻石。公司客户主要为第三代半导体行业知名企业。

6. 沃尔德:公司在CVD金刚石的制备及应用方面具有超过15年的技术储备。目前各产品线处于小规模市场推广阶段。公司研发的高品质CVD金刚石热沉,能够解决大功率激光器在高功率密度下的散热难题,目前产品已通过客户认证。

7. 国机精工:公司金刚石散热片和金刚石光学窗口片已有小批量订单,公司金刚石散热产品矩阵覆盖金刚石单晶、金刚石多晶和金刚石同复合材料。目前,民用领域的产品已送样客户,有望年内获得小批量订单。