溅射靶材：3D堆叠使内部布线层数从20多层翻倍至40多层，直接导致铜、钽等靶材需求量急剧放大。
电子特气与光刻胶：3D堆叠令刻蚀、沉积等工艺步骤增加，电子特气（特别是高纯氢氟酸）消耗量随之提升2-3倍；加上对多层图案套刻精度要求更高，自然也推高了光刻胶的总消耗量。
CMP抛光液：为了让每层堆叠的晶圆表面平坦，需要反复进行CMP抛光（化学机械抛光），自然令抛光液用量大增。

在后端封装环节，材料用量增长也极为惊人：

ABF/树脂基板：作为芯片的“地基”和“骨架”，其用量可达传统的5-18倍，占先进封装成本超过50%。
底部填充胶与导热材料：为应对高层数堆叠带来的巨大热应力和散热挑战，底部填充胶用量会随层数上升呈指数级增长；同时导热材料需求也急剧增加，如碳化硅铝基板已升级为导热系数高达1200-1600 W/m·K的金刚石热沉片，氮化铝基板及各种导热凝胶的填充量也增加。
封装用金属：在后道封装环节的金属沉积中，同样会消耗大量的12英寸高纯靶材。
光刻胶与电子特气：除了用于晶圆制造，在后道先进封装的光刻、刻蚀环节，同样需要消耗光刻胶和电子特气。
玻璃基载板：面对传统有机基板在高堆叠下的热胀冷缩短板，华为正积极研发玻璃基封装技术，其单位面积材料用量是传统方案的3-5倍