薄膜铌酸锂：mW级功耗重构OCS光交换架构
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一、薄膜铌酸锂渗透全栈光互联链路
基于高带宽、低损耗及高线性度等底层材料特性，薄膜铌酸锂（TFLN）的产业渗透正脱离单一场景限制。目前其技术应用已跨越DCI网络与3.2T（单波400G）光模块场景，横向延伸至Scale out/up/across全互联架构及CPO/NPO/LPO封装协议，确立底层材料占位。
二、OCS光交换的硅基波导插损破局
在OCS（光线路交换）环节，传统硅基波导受制于高插损限制，多级结构难以设计，端口数量停留在30至60个，远低于 MEMS 的上百端口规模。薄膜铌酸锂凭借物理特性实现降维替代，将光开关损耗压缩至硅材料20%以下且实现mW级单端口功耗。该指标大幅低于MEMS（10W）与硅光方案（1W），底层热管理性能与智算中心需求高度咬合。
三、行业观察
当前产业链核心工艺聚焦于大尺寸晶圆制备与异质键合技术，相关企业基于自身工艺节点切入供应链进行资源整合。
天通股份：大尺寸晶圆制程跨越温场控制、缺陷密度与表面平滑度壁垒，公司已实现8寸晶圆量产且12寸处于爬坡期。其晶圆环节规划168万片/年产能并指向全球50%以上份额。产业链向下游延展，公司同步推进42万片键合片扩产，按数十美元单模块价值量测算，理论可支撑近1亿只3.2T光模块需求。
安孚科技：通过同一实控人架构协同东山精密资源。旗下易缆微切入薄膜铌酸锂与硅光异质键合环节，凭借“Die to Wafer”方案大幅降低键合难度。目前其单波400G调制器与OCS方案已向索尔思送样测试，底层制造与产业链协同逐步跑通。
风险提示：产线扩产迟缓及下游光通信需求收缩。
基于高带宽、低损耗及高线性度等底层材料特性，薄膜铌酸锂（TFLN）的产业渗透正脱离单一场景限制。目前其技术应用已跨越DCI网络与3.2T（单波400G）光模块场景，横向延伸至Scale out/up/across全互联架构及CPO/NPO/LPO封装协议，确立底层材料占位。
二、OCS光交换的硅基波导插损破局
在OCS（光线路交换）环节，传统硅基波导受制于高插损限制，多级结构难以设计，端口数量停留在30至60个，远低于 MEMS 的上百端口规模。薄膜铌酸锂凭借物理特性实现降维替代，将光开关损耗压缩至硅材料20%以下且实现mW级单端口功耗。该指标大幅低于MEMS（10W）与硅光方案（1W），底层热管理性能与智算中心需求高度咬合。
三、行业观察
当前产业链核心工艺聚焦于大尺寸晶圆制备与异质键合技术，相关企业基于自身工艺节点切入供应链进行资源整合。
天通股份：大尺寸晶圆制程跨越温场控制、缺陷密度与表面平滑度壁垒，公司已实现8寸晶圆量产且12寸处于爬坡期。其晶圆环节规划168万片/年产能并指向全球50%以上份额。产业链向下游延展，公司同步推进42万片键合片扩产，按数十美元单模块价值量测算，理论可支撑近1亿只3.2T光模块需求。
安孚科技：通过同一实控人架构协同东山精密资源。旗下易缆微切入薄膜铌酸锂与硅光异质键合环节，凭借“Die to Wafer”方案大幅降低键合难度。目前其单波400G调制器与OCS方案已向索尔思送样测试，底层制造与产业链协同逐步跑通。
风险提示：产线扩产迟缓及下游光通信需求收缩。
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