【电报解读】三星电子第三季度量产SiC功率，需求端全面爆发推动碳化硅行业规模快速扩张，这家公司相关产品市占率稳居全球前三[淘股吧]

【三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品】《科创板日报》16日讯，三星电子计划于今年第三季度量产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司近期已订购原材料和组件。

据悉，三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MO SFET 。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。 (ZDnet)

需求端全面爆发推动碳化硅行业规模快速扩张

碳化硅（SiC）器件具备耐高压、低损耗和高频三大优势，可以满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求。当前功率碳化硅器件仍主要应用于新能源市场，包括新能源车 、光伏及储能逆变器以及充电桩、风电等高压渗透率较高的领域。汽车领域中超90%的SiC用于主牵引逆变器（main converter)，形态以全SiC功率模块为主。电源方面，600V SiC MosFET 用于AC/DC前端可带来高效率与高功率密度。

金元证券研报显示，2024年全球碳化硅器件（二极管、晶体管及混合模块内的器件，及半绝缘型碳化硅基射频器件）市场规模约43.6亿美元，至2030年有望达229.45亿美元，2025-2030年复合增长率约32%。五矿证券认为，需求端的全面爆发推动行业规模快速扩张，预计2027年碳化硅衬底供需紧平衡，甚至存在出现产能供应紧张的可能性；2030年，全球1676万片的衬底需求量，较2025年的供给，存在约1200万片的产能缺口。


市场格局上，2024年，意法半导体 、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆在碳化硅器件市占率合计市占率高达83%。国内公司在8英寸、12英寸碳化硅衬底研发领先。2023年天岳先进 成功研制8英寸碳化硅衬底，并于2024年天岳先进 已成功研制12英寸碳化硅衬底，在半绝缘型、导电N型及导电P型产品上均有布局。

1月26日有大号20%涨停，大智慧 异动解析：

天岳先进：通过台积电 验证(未验证)+碳化硅衬底+间接供货英伟达 ；

天岳先进：当前公司已与全球前十大功率半导体器件制造商（按2024年的收入计）中一半以上的制造商建立业务合作关系。公司的客户英飞凌、安森美已成功进入英伟达等行业巨头的供应链，成为AI算力基础设施的重要组成部分。


天岳先进（ 688234 ）属于机构票，另一个近期值得重视的机构票是斯迪克（ 300806 ），量化对机构票的影响相对小的多。


斯迪克：华为3月20日存储新品（MED）的唯一核心上游，技术独家+资本绑定+量产在即，弹性最大、确定性最高。

一、核心关联（2026最新）

华为3月20日存储峰会：将发布OceanStor A800、eKitStor SSD及磁电存储（MED） 相关方案。

斯迪克：是华为磁电存储（MED）唯一核心材料/工艺伙伴，纳米级磁介质涂布工艺（价值量占比 60%）已通过华为验证。

资本绑定：2026年1月，华为哈勃系基金入股斯迪克子公司常州共跃星辰（持股34%），合作从技术升级为资本+产业深度绑定。

量产节点：首代72TB磁电盘（MED）计划2026年5-6月量产，优先供华为AI数据中心。

二、对3月20日发布会的影响 斯迪克是MED技术的核心上游

发布会大概率会官宣MED方案/产品，直接催化斯迪克的主题与业绩预期。 华为“SSD+MED”双层存储架构，斯迪克是唯一材料供应商。

三、一句话结论：

斯迪克是华为3月20日数据存储新品（尤其是磁电存储MED）的核心上游，深度绑定、独家卡位。

（风险提示：所有的逻辑挖掘，仅代表个人见解或个人买卖记录，不代表市场看法，不要做为自己买卖依据，风险须自控自负自担！)

（作者利益披路：本逻辑分析，不作为证券推荐或投资建议，截至发文时，作者或持有部分相关标的，下一个交易日内可能择机卖出。但个人持股很小基本不超过该股当天交易量百分之零点几、个人买卖对个股交易影响非常小。）

$天岳先进(sh688234)$
$斯迪克(sz300806)$
$同宇新材(sz301630)$
$沃特股份(sz002886)$
$肯特股份(sz301591)$