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月):
一、InP衬底(核心壁垒，全球紧缺)
云南锗业( 002428 ):国内唯一量产6英寸InP衬底，控股鑫耀半导体，华为哈勃加持;国内市占率超80%，2026年扩产至40万片/年。
博杰股份( 002975 ):持股24.68%珠海鼎泰芯源，布局InP衬底，目标年产能20万片。
·锡业股份( 000960 ):全球原生铟龙头(占全球近30%)，7N高纯铟核心供应商，InP原料端关键标的。
二、InP外延/激光器芯片(DFB/EML，高速光通信核心)
源杰科技(688498):InP光芯片IDM龙头，50G/100G EML/DFB国内市占40%+;英伟达认证，适配800G/1.6T.
三安光电( 600703 ):化合物平台龙头，6英寸InP外延月产5万片，EML良率85%+;自产衬底+外延+芯片，绑定华为、英伟达。
光迅科技( 002281 ):国内唯一InP+硅光+TFLN全链协同;自研InP激光器/探测器，800G芯片批
量供货。
仕佳光子( 688313 ):25G/100G DFB批量供货，800G模块核心供应商。
长光华芯( 688048 ):孵化星沅光电，布局高端InP激光器芯片，用于AI数据中心光通信。
东山精密( 002384 ):控股索尔思光电，6英寸InP+PIC，200G/400G/800G EML，供货英伟达、谷歌。
·永鼎股份( 600105 ):鼎芯光电,100G PAM4 EML月产1kk,1.6T CPO订单落地。
三、配套/加工环节
在 有色金属 和 半导体 产业链中，金属铟的供给正面临长期约束。2024年国内原生铟产量出现明显下滑，导致精铟市场整体呈现供应偏紧的格局。
铟并不是一种独立存在的矿产，它主要是作为锌矿石等矿物冶炼过程中的副产品被回收出来的。这就意味着，铟的产量并不能随着自身价格的上涨而任意扩大，它在根本上取决于锌冶炼行业的整体开工情况和伴生矿石中的铟品位变化。
目前，由于锌精矿供应紧张，国内大批锌冶炼企业正面临吨锌长期亏损的局面，行业缺乏扩张产能的动力。即使把冶炼过程中产生的外销硫酸和精铟这些副产品的收益全部算进去，多数锌冶炼厂也仅仅是接近盈亏平衡点。
再加上主产区在能耗和环保方面的管控力度加大，伴生矿中铟的品位也在逐年下降，这使得原生铟的供给端持续收缩。从回收端来看，虽然再生铟是精铟供给的重要来源，但由于目前废 靶材 和液晶面板拆解等二次资源的提纯难度高、能耗大，且容易产生大量的污泥废水，因此再生铟的整体增量非常有限。
从长期的产量数据对比来看，全球精铟产量的增长速度已经很难满足新兴领域的消耗。2022年全球精铟产量为2280吨，其中原生铟为1041吨；到了2025年，全球精铟产量提升至2682吨，原生铟也仅为1150吨。
在这一结构中，中国一直是全球最大的原生铟生产国。不过，中国原生铟产量在2023年达到646吨之后，2024年大幅下降至426吨，2025年也仅为441吨。
根据安泰科的预测，2026年和2027年全球精铟产量预计为2785吨和2880吨，中国产量将占到其中的70%以上。这种高度集中的供应格局，在供给端持续收缩的背景下，直接推高了资源的稀缺性。
二、光模块拉动铟需求
在供给端整体受限的情况下，金属铟的传统消费盘依然维持着非常稳固的局面。在精铟的下游消费结构中，用于制造液晶显示屏、触控面板的ITO靶材是绝对的核心，在精铟总需求中的占比高达79%。
2025年国内精铟的整体消费需求已经达到了2316吨。随着消费总量的稳步爬升，安泰科预测2026年和2027年全球精铟消费量将分别达到2510吨和2813吨，同比增速分别达到8.38%和12.07%。
在这个基础消费盘之外，AI算力建设的提速正在给铟市场带来一个全新的、呈现指数级增长的需求板块。
2026年以来，全球在AI基础设施建设方面的资本支出大幅增加。根据Gartner预测，2026年全球AI总支出将达到25278亿美元，其中用于算力集群等AI基础设施的建设支出就高达13664亿美元，相比2025年大幅增长41.60%，2027年这一支出还将继续增长27.95%。
在这种大算力集群的部署过程中， 英伟达 等巨头采用的 GPU 之间需要进行海量的数据互联。传统的铜线电互连因为带宽受限、发热量大且传输距离短，已经无法满足TB级的数据交换需求，这迫使下游数据中心全面转向高带宽、低延迟、低功耗的光传输，从而引爆了高端高速光模块的订单。
高速光模块订单的爆发，直接传导到了底层的半导体化合物材料——磷化铟上。
在800G和1.6T的高端光模块中，由于信号传输速率和带宽要求翻倍，传统的 砷化镓 或硅材料在调制速率上已经无法满足要求。而磷化铟衬底由于发光波长刚好完美适配光纤低损耗通信的黄金波段，并且其光电转换效率接近100%，因此成为了高端光模块必不可少的核心底材。
在这类高端光模块中，发射端的EML激光器全面采用了磷化铟基 芯片 ，硅光方案中也必须新增磷化铟CW泵浦芯片，同时接收端的APD探测器也在全面升级，单颗800G光模块对磷化铟芯片的消耗量就达到了8到17颗。
随着光模块不断向更高规格演进，单晶衬底的消耗量正在成倍增加。1.6T光模块由于芯片面积更大且良率更低，其单位带宽对磷化铟衬底的消耗量达到了800G光模块的2.7至2.8倍，未来的3.2T光模块消耗量还会进一步放大。
结合全球光模块的出货量数据来看，2026年全球800G和1.6T光模块的出货量预计分别为5000万只和2000万只。到2030年，光模块的出货结构将演变为2500万只800G、6000万只1.6T以及8000万只3.2T。
在 综合 考虑了多晶合成、单晶生长、衬底加工以及高纯铟提纯等各个环节的良率损耗之后，中邮证券研究所测算，到2030年，全球光模块领域对高纯铟的需求量将一路飙升至440.69吨。
这意味着光模块所消耗的精铟，占精铟总需求的比例将从2026年的7.58%快速提升至2030年的15.41%，成为拉动精铟消费的最强动力。
三、行业被高端市场垄断
虽然下游的需求已经表现出极强的增长潜力，但目前全球磷化铟衬底和作为关键原材料的高纯铟市场上，高端产能依然处于被海外少数几家巨头极度垄断的状况。
根据Yole等机构的研究数据显示，在全球磷化铟衬底市场中，日本住友电工以40.19%的全球市场份额位居第一，其主要采用成熟的VB法生产4英寸半绝缘衬底；美国AXT通过其子公司北京通美占据了38.32%的市场份额，凭借VGF法实现了6英寸单晶衬底的量产；再加上法国II-VI以及日本JX金属等企业，前几大巨头合计垄断了全球95%以上的市场份额。
当前，全球磷化铟市场的供需缺口非常明显。2025年全球磷化铟衬底的总需求折合2英寸当量大约在200万到210万片之间，然而全球的有效合规产能却仅仅只有60万到70万片，整个行业的供需缺口接近70%。
由于磷化铟衬底的扩产周期通常长达18到36个月，并且核心的生产设备需要依赖进口，再加上产品良率的爬坡往往需要耗费8到12个月的时间，这种极高的进入壁垒导致海外巨头的扩产速度很难在短期内填补缺口。
虽然AXT计划在2026年实现产能翻番，住友电工计划在2027年前将产能提升40%，日本JX金属也宣布扩产20%，但整个行业的紧缺格局预计仍将延续到2028年。
制造磷化铟衬底的关键在于原材料的纯度控制。 光电子 器件所使用的低阻磷化铟单晶片，必须使用6N及以上纯度的高纯铟才能满足制造要求，如果是生产4英寸、6英寸乃至更大尺寸的衬底，往往需要纯度达到7N甚至8N以上的超高纯铟作为关键原材料。
在这一高纯度金属加工领域，海外企业由于起步较早，技术一直处于领先位置，日本的Dowa、Rasa以及加拿大的5N Plus等企业牢牢占据着主要的市场份额，并直接为住友电工、AXT等衬底巨头供货。
这类7N以上的高纯铟加工需要采用特殊的真空蒸馏和区域熔炼法进行多次提纯，设备基本上都是高度定制的，而且需要通过极为严格的下游客户认证。
因而国内的大多数铅锌冶炼厂虽然拥有原生铟的资源优势，但由于技术水平相对落后，产出的铟纯度通常只能达到4N左右的普通精铟级别，无法直接满足半导体芯片制造的要求。
四、国内企业加速突围
面对海外企业在技术和产能上的双重垄断，国内一众半导体材料和有色金属精深加工企业正在通过技术攻关加速突围，国产化替代的进程已经明显提速。
在磷化铟衬底和高纯铟领域，国内代表性企业在产品量产、客户验证以及产能建设方面都取得了决定性的进展。