2026年3月，特朗普访华成为中美科技合作与竞争格局的重要转折点。此后，全球半导体供应链加速重构，高端光刻机与关键材料的自主可控，成为中国芯片产业突围的核心命题。历经多年攻坚，国产光刻机接连迎来突破：上海微电子28nm浸没式光刻机实现量产验证，哈工大13.5nm极紫外光源打通EUV“心脏”，国产电子束光刻机精度比肩国际主流，标志着我国在芯片制造“皇冠”设备上迈出关键一步。

光刻机被誉为芯片制造的核心装备，决定芯片制程精度；而光刻胶则是光刻工艺的“隐形模具”，作为感光性电子化学品，它在紫外光、电子束等照射下发生物性变化，实现电路图案精准转移，是半导体材料中技术壁垒最高的品类之一。长期以来，全球高端光刻胶市场被日美企业垄断，国产替代迫在眉睫。光刻机的规模化突破，直接打开光刻胶的刚需市场，形成“设备突破—材料放量”的正向循环，为本土材料企业带来历史性机遇。

在这一轮产业红利中，国风新材精准卡位光刻胶赛道，聚焦光敏聚酰亚胺（PSPI）光刻胶研发攻坚。PSPI光刻胶主要应用于芯片封装、显示面板等领域，是高端电子制造的关键材料。公司稳步推进研发与实验室建设，从实验室制备到项目落地有序推进，虽尚未量产，但已站上光刻材料国产化的风口。随着国产光刻机产能释放、晶圆厂扩产提速，下游对本土光刻胶的需求将持续爆发，国风新材凭借技术储备与产业布局，有望在光刻胶国产化浪潮中抢占先机。
由此国风新材即将开启主升