在半导体先进封装与制造工艺中，晶圆厚度不断降低至100微米以下甚至更薄，如此薄的晶圆在后续研磨、刻蚀、金属化等工艺中极易破损。为保障制造过程的稳定性与良率，业界普遍采用临时键合与解键合技术：先将薄晶圆临时固定于刚性载板上，完成背面工艺后再将其分离。这一分离过程即为“解键合”。
解键合是指临时键合在一起的载片晶圆与器件晶圆完成相关工艺后，二者分离的过程。该技术是临时键合与解键合技术体系中的关键环节，