作为光刻工艺的核心配套设备，涂胶显影设备直接决定光刻胶性能的最终呈现。盛美上海此次交付的Ultra Lith KrF设备搭载12个旋涂腔与12个显影腔，配备54块高精度热板，可实现从低温到高温的全范围工艺温控，涂胶膜厚均匀性误差控制在±1%以内，完全匹配国产KrF光刻胶对28nm先进制程及3D NAND存储芯片的制造要求。设备集成的背面颗粒去除模块（BPRV）与晶圆级异常检测（WSOI）系统，能将