薄膜铌酸锂薄膜铌酸锂（TFLN）兼具超低光学损耗与高压电系数，使其在微波光子集成中天然适配。实验数据显示，单片 TFLN 芯片可将信号处理S度提升至传统 CMOS 处理器的三个数量级，且B持亚皮秒抖动与 110 GHz 以上模拟带宽；在 3 V 驱动电压下，每比特能耗降至 0.5 pJ 以下。采用薄膜铌酸锂调制器后，单通道S率已突破 200 Gb/s PAM4，配合相干技术可直接支撑 1.6 T