核心优势**
1. **国产替代主力**：
- 国内稀缺的 **SLC NAND Flash** 自主设计能力，打破海外垄断。
- 利基型 DRAM （25nm）量产，切入工控、网通等市场。
2. **技术自主性**：
- 掌握 **38nm-24nm** 制程工艺（NAND），逐步向19nm升级。
- 自研IP、设计流程，晶圆代工依赖中芯国际等国内