英诺赛科再获新专利,晶圆外延制备技术得到较大提升
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近日,英诺赛科在国家知识产权局成功取得了一项重要专利——“承载盘及MOCVD设备”(授权公告号CN 221895186 U),该专利的申请日期追溯至2023年12月。这一专利的取得,标志着英诺赛科在半导体技术领域取得了新的突破,特别是在晶圆外延制备方面。
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专利摘要显示,本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种承载盘及MOCVD设备。承载盘用于制备晶圆外延。承载盘包括大盘、卫星盘、
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专利摘要显示,本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种承载盘及MOCVD设备。承载盘用于制备晶圆外延。承载盘包括大盘、卫星盘、