氮化镓（GaN）作为最新一代半导体材料，因其卓越性能备受市场关注，且在多个领域得到广泛应用。相较于传统的硅及其他半导体材料，氮化镓具备高频、高电子迁移率、强抗辐射能力、低导通电阻及无反向恢复损耗等明显优势。这些特性使氮化镓功率半导体芯片在降低电源能耗、提升能源转换效率、降低成本及实现设备小型化方面发挥关键作用。随着下游应用领域的持续发展，氮化镓功率半导体正面临前所未有的增长机会。
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