准四代半导体3C-SiC的各项指标性能已经接近四代半导体金刚石的性能，且3C-SiC功率器件性能有望比目前主流的三代半导体4H-SiC更好更便宜更容易制造。液相法实现了3C-SiC单晶的大规模制造有着重大的商业意义，首先，碳化硅器件的制造成本能够得到大幅降低，采用液相法的晶体缺陷更少，根据中科院物理研究所研究员陈小龙此前的观点，液相法生长碳化硅的“最重要的一个好处